水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112080796A(43)申请公布日2020.12.15(21)申请号202010994740.7(22)申请日2020.09.21(71)申请人北京智创芯源科技有限公司地址100095北京市北京经济技术开发区经海三路106号1幢一层(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆英静(51)Int.Cl.C30B19/06(2006.01)C30B19/00(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法(57)摘要本发明公开了一种水平液相外延石墨舟，包括至少一个刮除装置，拉动滑条至第一预设位置时，刮除装置能够刮除滑条上滞留的母液；以及至少一个吸收装置，拉动滑条至第二预设位置时，吸收装置能够吸收滑条上滞留的母液；并且拉动滑条时，滑条先滑动至衬底槽与母液滞留槽对中的位置，再滑动至第一预设位置，最后滑动至第二预设位置。碲镉汞母液在衬底上生长出碲镉汞薄膜；拉动滑条至第一预设位置，刮除装置将滞留在滑条上的碲镉汞母液刮除；再拉动滑条至第二预设位置，吸收装置将碲镉汞母液吸收；在刮除装置和吸收装置的双重作用下，减少残留的碲镉汞母液，提高碲镉汞薄膜的质量。本发明还公开了一种水平液相外延生长系统、外延方法和生长方法。CN112080796ACN112080796A权利要求书1/2页1.一种水平液相外延石墨舟，包括滑条(200)和母液槽(100)，所述滑条(200)上设置有用于放置衬底的衬底槽(201)，所述母液槽(100)设置有用于放置碲镉汞母液的母液滞留槽(103)，其特征在于，所述水平液相外延石墨舟还包括：至少一个设置于所述母液槽(100)上的刮除装置(101)，拉动所述滑条(200)至第一预设位置时，所述刮除装置(101)能够刮除所述滑条(200)上滞留的母液；以及至少一个设置于所述母液槽(100)上的吸收装置(102)，拉动所述滑条(200)至第二预设位置时，所述吸收装置(102)能够吸收所述滑条(200)上滞留的母液；并且拉动所述滑条(200)时，所述滑条(200)先滑动至所述衬底槽(201)与所述母液滞留槽(103)对中的位置，再滑动至所述第一预设位置，最后滑动至所述第二预设位置。2.根据权利要求1所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述刮除装置(101)包括至少一个刮片(1011)和至少一个用于放置所述刮片(1011)的刮片放置槽(1012)，所述刮片放置槽(1012)设置于所述母液滞留槽(103)的一侧，所述刮片(1011)垂直于所述滑条(200)放置并与所述滑条(200)接触。3.根据权利要求2所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，在平行于所述滑条(200)所在平面的截面上，所述刮片(1011)的长度大于所述衬底槽(201)的长度。4.根据权利要求2所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述刮片(1011)为长方形，所述刮片放置槽(1012)为与所述刮片(1011)配合的长方形槽。5.根据权利要求2所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述刮片(1011)的数量为两个，分别为第一刮片和第二刮片；所述刮片放置槽(1012)的数量为两个，分别为第一刮片放置槽(1012-a)和第二刮片放置槽(1012-b)，所述第一刮片放置于所述第一刮片放置槽(1012-a)，所述第二刮片放置于所述第二刮片放置槽(1012-b)。6.根据权利要求1所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述吸收装置(102)包括至少一个吸片(1021)和至少一个用于放置所述吸片(1021)的吸片放置槽(1022)，所述吸片放置槽(1022)设置于所述刮片放置槽(1012)远离所述母液滞留槽(103)的一侧，所述吸片(1021)垂直于所述滑条(200)放置并与所述滑条(200)接触。7.根据权利要求6所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，在平行于所述滑条(200)所在平面的截面上，所述吸片(1021)的长度大于所述衬底槽(201)的长度。8.根据权利要求6所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述吸片(1021)为长方形，所述吸片放置槽(1022)为与所述吸片(1021)配合的长方形槽。9.根据权利要求6所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述吸片(1021)的数量为四个，分别为第一吸片、第二吸片、第三吸片和第四吸片；所述吸片放置槽(1022)的数量为四个，分别为第一吸片放置槽(1022-a)、第二吸片放置槽(1022-b)、第三吸片放置槽(1022-c)和第四吸片放置槽(1022-d)，所述第一吸片放置槽(1022-a)、所述第二吸片放置槽(1022-b)、所述第三吸片放置