Micro-LED芯片及其制作方法、显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112002791A(43)申请公布日2020.11.27(21)申请号202010762125.3(22)申请日2020.07.31(71)申请人华为机器有限公司地址523808广东省东莞市松山湖科技产业园区新城大道2号(72)发明人陈明辉曲爽(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人熊永强李稷芳(51)Int.Cl.H01L33/44(2010.01)H01L33/14(2010.01)H01L25/16(2006.01)H01L25/075(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图11页(54)发明名称Micro-LED芯片及其制作方法、显示面板(57)摘要本申请提供Micro‑LED芯片及其制作方法，以及包括该Micro‑LED芯片显示面板及显示终端。该Micro‑LED芯片包括外延层、N电极、P电极及连接电极。连接电极凸起于P电极背离外延层的一面，连接电极的表面能与P电极的表面能大小不同。制作显示面板时，驱动电路与连接电极进行连接，由于本申请的连接电极的表面能与P电极的表面能不同，因而将Micro‑LED芯片从衬底上剥离时，用于固定Micro‑LED芯片及衬底的透明胶材在连接电极上不残留或者残留于透明胶材的量少于在P电极上残留的量，能够保证在不损坏Micro‑LED芯片的前提下，保证Micro‑LED芯片与驱动电路的有效连接。CN112002791ACN112002791A权利要求书1/2页1.一种Micro-LED芯片，其特征在于，包括外延层、N电极、P电极及连接电极；所述外延层包括相对的第一表面及第二表面，所述N电极层叠于所述第一表面，所述P电极层叠于所述第二表面；所述连接电极凸起于所述P电极背离所述外延层的一面，且所述连接电极与所述P电极电连接，所述连接电极部分覆盖所述P电极，所述连接电极的表面能与所述P电极的表面能大小不同。2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述连接电极的中心位于所述Micro-LED芯片的中心轴上。3.根据权利要求1或2所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述连接电极为环绕所述P电极的边缘设置的环形结构。4.根据权利要求1-3任一项所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述P电极与所述外延层之间，所述电流阻挡层上设有开孔，所述P电极通过所述开孔连接至所述外延层。5.根据权利要求4所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述开孔的中心位于所述Micro-LED芯片的中心轴上。6.根据权利要求4或5所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述连接电极在所述电流阻挡层上的投影围绕所述开孔设置。7.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述P电极为透明ITO电极，所述连接电极为金属电极。8.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述N电极为金属电极，所述N电极朝向所述外延层的一面为反射面，所述反射面用于反射光线。9.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、量子阱层及P型半导体层，所述N型半导体层背离所述量子阱层的一面为所述第一表面，所述P型半导体层背离所述量子阱层的一面为所述第二表面。10.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括周面，所述周面连接于所述N电极背离所述P电极的表面与所述P电极背离所述N电极的表面之间；所述Micro-LED芯片还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述周面。11.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括衬底基板、驱动芯片、驱动电路及如权利要求1-10任一项所述的Micro-LED芯片，所述Micro-LED芯片为多个，多个所述Micro-LED芯片阵列设置于所述衬底基板上，所述驱动电路连接所述驱动芯片，并连接所述Micro-LED芯片的所述N电极及所述连接电极，以通过所述驱动电路连接所述Micro-LED芯片与所述驱动芯片，所述驱动芯片用于控制阵列设置的多个所述Micro-LED芯片发光。12.一种显示终端，其特征在于，包括外壳及权利要求11所述的显示面板，所述显示面板固定于所述外壳上。13.一种Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供外延片，所述外延片包括第一衬底以及层叠于所述第一衬底上的外延层；在所述外延层背离所述第一衬底的一面层叠P电极层；在所述P电极层背离所述外延层的表面形成多个阵列设置的连接电极，多个阵列设置的所述连接电极部分覆盖所述P电极层；在所述连接电极背离所述P电极层的一侧层叠第二衬底，并通过透明胶