一种银纳米线及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111992735A(43)申请公布日2020.11.27(21)申请号202010856119.4(22)申请日2020.08.24(71)申请人深圳先进电子材料国际创新研究院地址518103广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区(72)发明人梁先文赵涛刘丹孙蓉(74)专利代理机构北京市诚辉律师事务所11430代理人范盈(51)Int.Cl.B22F9/24(2006.01)B22F1/00(2006.01)B82Y30/00(2011.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种银纳米线及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种银纳米线的制备方法。具体公开了一种银纳米线的制备方法，其包括如下步骤：1)将银的卤化物固体加入到还原剂溶液中，分散均匀，得到银的卤化物分散液；2)将银的卤化物分散液加入到反应釜内衬中，在60‑220℃反应40min‑360min，得到混合物；3)将所述混合物离心分离，得到银纳米线；其中，所述银的卤化物分散液中不包含高分子包覆剂。本发明无需引入额外的银纳米线生长控制剂，方法简单，绿色环保，成本低廉，所得到的银纳米线表面清洁无残留物。CN111992735ACN111992735A权利要求书1/1页1.一种银纳米线的制备方法，其包括如下步骤：1)将银的卤化物固体加入到还原剂溶液中，得到银的卤化物分散液；2)将银的卤化物分散液加入到反应釜内衬中，在60-220℃反应40min-360min，得到混合物；3)将所述混合物离心分离，得到银纳米线；其中，所述银的卤化物分散液中不包含高分子包覆剂。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述银的卤化物选自氯化银、溴化银和碘化银中的至少一种。3.根据权利要求1-2任一项所述的制备方法，所述还原剂选自柠檬酸三钠、葡萄糖或抗坏血酸中的至少一种。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，所述步骤1)中，银的卤化物和还原剂的摩尔比为1:1～1:20。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，所述步骤2)的反应温度为120-160℃。6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，所述的银纳米线的制备方法，所述步骤2)的反应时间180-220min。7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，还原剂溶液的浓度为0.05-0.5g/mL。8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，所得银纳米线的直径为30-70nm，长度为15-25μm。9.根据权利要求1-8任一项制备方法法制备得到的银纳米线。10.根据权利要求9所述银纳米线，其直径为30-70nm，长度为15-25μm，银纳米线表面不含任何高分子聚合物。2CN111992735A说明书1/4页一种银纳米线及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及纳米材料的制备的技术领域，特别是涉及一种银纳米线的制备方法。技术背景[0002]一维金属银纳米线由于其高轴径比的特殊结构而表现出独特的物理化学性质，被广泛应用于导电、导热、杀菌、催化以及生物和化学传感器等领域。基于其突出的导电性、透光性和机械柔性，银纳米线透明电极在柔性触摸屏、柔性显示器、柔性太阳能电池及柔性OLED等柔性可穿戴电子器件应用中拥有广阔的市场前景。[0003]目前，主流透明电极材料铟掺杂氧化锡(ITO)具有质脆，工艺复杂，铟的储量有限、能耗高、成本高等方面的缺陷，越来越难以满足当下流行的柔性可穿戴电子产品的要求。而银纳米线透明电极具有简单的工艺、低成本、优异的光电性能和机械柔性等优势，已成为ITO最具潜力的替代材料。银纳米线的合成对其透明电极的最终性能具有至关重要的影响，在传统的银纳米线制备中，通常需要加入高分子聚合物，如：聚乙烯吡咯烷酮等，作为银纳米线生长的控制剂，调节银纳米线的取向生长，但这些聚合物通常是绝缘的，反应后会残留在银纳米线表面形成绝缘包覆层，很难去除，将严重降低银纳米线透明电极的导电性，影响其在光电领域的应用。另外，制备银纳米线所使用的还原剂大多为液态多羟基醇，成本较高，而且反应后生成的酮类有机物易对环境造成危害。发明内容[0004]为了解决上述问题，本发明提供一种低成本，工艺简单，绿色环保、表面清洁无残留物的银纳米线的制备方法。[0005]本发明一个方面提供了一种银纳米线的制备方法，其包括如下步骤：[0006]1)将银的卤化物固体加入到还原剂溶液中，分散均匀，得到银的卤化物分散液；[0007]2)将银的卤化物分散液加入到反应釜内衬中，在60-220℃反应40min-360min，得到混合物；[0008]3)将所述混合物离心分离，得到银纳米线；[0009]其中，所述银的卤化物分散液中不包含高分子包覆剂。[0010]在其中一个实施例