衬底处理方法及衬底处理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112189252A(43)申请公布日2021.01.05(21)申请号201980034028.8(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(22)申请日2019.04.22责任公司11287代理人陈甜甜(30)优先权数据2018-1391652018.07.25JP(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2020.11.20(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2019/0170422019.04.22(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/021797JA2020.01.30(71)申请人株式会社斯库林集团地址日本京都(72)发明人尾辻正幸权利要求书2页说明书24页附图11页(54)发明名称衬底处理方法及衬底处理装置(57)摘要本发明中，将凝固点低于吸附物质的凝固点的干燥前处理液供给至衬底(W)的表面，使吸附物质吸附于图案(P1)的表面。冷却衬底(W)上的干燥前处理液，由此使衬底(W)上的干燥前处理液的一部分凝固而沿着图案(P1)的表面形成含有吸附物质的凝固膜(101)。一面使凝固膜(101)残留于衬底(W)的表面，一面将未用于形成凝固膜(101)的剩余的干燥前处理液自衬底(W)的表面去除。当将剩余的干燥前处理液去除后，或与将剩余的干燥前处理液去除同时地，通过使凝固膜(101)变成气体而将凝固膜(101)自衬底(W)的表面去除。CN112189252ACN112189252A权利要求书1/2页1.一种衬底处理方法，包含：干燥前处理液供给步骤，将干燥前处理液供给至衬底的表面，使吸附物质吸附于图案的表面，该干燥前处理液包含：所述吸附物质，吸附于形成在所述衬底的所述图案的表面；及溶解物质，相对于所述图案的表面的亲和性较所述吸附物质低，且能与所述吸附物质溶合；且该干燥前处理液的凝固点低于所述吸附物质的凝固点；冷却步骤，以低于所述吸附物质的凝固点的冷却温度，冷却所述衬底的表面上的所述干燥前处理液，由此使所述衬底的表面上的所述干燥前处理液的一部分凝固，而沿着所述图案的表面形成含有所述吸附物质的凝固膜；余液去除步骤，一面使所述凝固膜残留于所述衬底的表面，一面将未用于形成所述凝固膜的剩余的所述干燥前处理液自所述衬底的表面去除；及固体去除步骤，当将剩余的所述干燥前处理液自所述衬底的表面去除后，或与将剩余的所述干燥前处理液自所述衬底的表面去除同时地，通过使所述凝固膜变成气体而将所述凝固膜自所述衬底的表面去除。2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中所述固体去除步骤包含图案复原步骤，即，通过将所述凝固膜自隔着所述凝固膜接触的崩坏的2个所述图案之间去除，而利用所述图案的复原力将崩坏的所述图案的形状复原。3.根据权利要求1或2所述的衬底处理方法，其中所述吸附物质是含有亲水基及疏水基两者的双亲媒性分子。4.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底处理方法，其中所述冷却步骤包含间接冷却步骤，即，隔着所述衬底冷却所述衬底的表面上的所述干燥前处理液。5.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底处理方法，其中所述吸附物质的凝固点为室温以上，所述干燥前处理液的凝固点低于室温，且所述干燥前处理液供给步骤包含将室温的所述干燥前处理液供给至所述衬底的表面的步骤。6.根据权利要求1至5中任一项所述的衬底处理方法，其中所述冷却步骤是实施如下操作的步骤：以低于所述吸附物质的凝固点且高于所述干燥前处理液的凝固点的所述冷却温度，冷却所述衬底的表面上的所述干燥前处理液，由此一面使所述干燥前处理液残留于所述衬底的表面，一面沿着所述图案的表面形成所述凝固膜；且所述余液去除步骤包含液体去除步骤，即，一面使所述凝固膜残留于所述衬底的表面，一面将所述衬底的表面上的所述干燥前处理液去除。7.根据权利要求1至5中任一项所述的衬底处理方法，其中所述冷却步骤是实施如下操作的步骤：以低于所述吸附物质的凝固点且为所述干燥前处理液的凝固点以下的所述冷却温度，冷却所述衬底的表面上的所述干燥前处理液，由此沿着所述图案的表面形成含有所述吸附物质的凝固膜，其后形成含有所述吸附物质及溶解物质且隔着所述凝固膜与所述图案的表面接触的凝固层；且所述余液去除步骤包含相移步骤，即，所述凝固膜通过向气体转变而自所述衬底的表面去除时，通过使所述凝固层变成气体而将所述凝固层自所述衬底的表面去除。8.根据权利要求1至5中任一项所述的衬底处理方法，其中所述冷却步骤是实施如下操2CN112189252A权利要求书2/2页作的步骤：以低于所述吸附物质的凝固点且为所述干燥前处理液的凝固点以下的所述冷却温度，冷却所述衬底的表面上的所述干燥前处理液，由此沿着所述图案的表面形成含有所述吸附物质的凝固膜