一种非接触式晶片支撑装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112201610A(43)申请公布日2021.01.08(21)申请号202011065641.7(22)申请日2020.09.30(71)申请人南京华易泰电子科技有限公司地址210032江苏省南京市江北新区智能制造园博富路10号(72)发明人胡璐(74)专利代理机构北京盛凡智荣知识产权代理有限公司11616代理人屠佳婕(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种非接触式晶片支撑装置(57)摘要本发明公开了一种非接触式晶片支撑装置，包括第二构件，所述第二构件为中空的圆锥形结构，且所述第二构件的上表面直径大于下表面直径，所述第二构件内容纳有第一构件，所述第一构件为圆锥形结构，且所述第一构件的上表面直径大于下表面直径，所述第一构件的外表面与第二构件的内壁具有间隙，第二构件的内表面与第一构件留以预定间隙容纳，本发明用以不接触晶片的方式支撑的同时使在晶片的表面上形成的压力分布的不均匀最小化，根据本发明的非接触晶片支撑装置控制空气的注入压力和吸入压力，这样，可以在没有直接接触的情况下支撑晶片，并且还可以防止晶片脱离，因此，可以使在半导体制造过程中对晶片的损坏最小化。CN112201610ACN112201610A权利要求书1/1页1.一种非接触式晶片支撑装置，包括第二构件(200)，其特征在于，所述第二构件(200)为中空的圆锥形结构，且所述第二构件(200)的上表面直径大于下表面直径，所述第二构件(200)内容纳有第一构件(100)，所述第一构件(100)为圆锥形结构，且所述第一构件(100)的上表面直径大于下表面直径，所述第一构件(100)的外表面与第二构件(200)的内壁具有间隙，所述间隙为第三空气通道(210)，所述第一构件(100)的上表面由凸部(110)及凹部(120)构成，所述第二构件(200)上表面位于第一构件(100)上表面的上方，所述第一构件(100)上表面设置有硅片(50)，每个所述凸部(110)上均设置有呈圆周阵列分布的第一空气通道(111)，所述第一空气通道(111)贯穿第一构件(100)，每个所述凹部(120)上均设置有呈圆周阵列分布的第二空气通道(121)，所述第二空气通道(121)贯穿第一构件(100)，所述第二构件(200)的下方分别设置有第一空气注气泵(310)、第二空气注气泵(320)及吸气泵(400)，所述第一空气注气泵(310)通过由第一构件(100)的凸部(110)形成的第一空气通道(111)朝第一构件(100)顶部的方向注入，所述吸气泵(400)通过从第一构件(100)的凹部(120)形成的第二空气通((121)向第一构件(100)的底部吸入空气，所述第二空气注气泵(320)通过形成在第一构件(100)和第二构件(200)之间的第三空气通道(210)注入。2.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置，其特征在于，所述凸部(110)与凹部(120)呈环状径向交替分布。3.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置，其特征在于，所述第一构件(100)的上表面的直径优选小于或等于硅片(50)的直径。4.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置，其特征在于，所述第一空气通道(111)的开口为第一空气通道(111)的排出口(111)a。5.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置，其特征在于，所述第二空气通道(121)的的开口为第二空气通道(121)的进气口(121)a。6.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置，其特征在于，所述第二构件(200)的内径与第一构件(100)的顶面相同的平面上逐步扩大，且所述第二构件(200)上端的内径大于硅片(50)的直径。2CN112201610A说明书1/4页一种非接触式晶片支撑装置技术领域[0001]本发明涉及晶片支撑装置技术领域，具体是一种非接触式晶片支撑装置。背景技术[0002]在半导体生产过程中将晶圆转移、蚀刻、thinning时需要一个固定或支撑的设备。通常，广泛地使用用于固定晶片的径向端的装置，但是在某些过程中，必须支撑表面而不是晶片的端部。此时，如果使用接触式支撑装置，则由于要在其上形成晶片电路的表面与支撑装置之间的物理直接接触而导致晶片损坏的可能性。随着要求晶片的密度和高集成度，这种可能性逐渐增加。[0003]近来，半导体以薄板的形式应用于产品，例如智能卡和存储卡。除了高密度和高集成之外，还需要更大的面积和薄膜。因此，近来，必须处理厚度为70μm至150μm的大面积晶片。然而，根据现有技术的晶片支撑设备不适合支撑由于大面积和薄化而具有小机械刚度的晶片。即，通过从晶片的中心注入的空气和