复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112331794A(43)申请公布日2021.02.05(21)申请号201911064318.5(22)申请日2019.11.04(71)申请人广东聚华印刷显示技术有限公司地址510000广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388(72)发明人眭俊李哲黄航苏亮田亚蒙(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人戴志攀(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置(57)摘要本发明涉及一种复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置，复合阴极结构包括：第一阴极层，第一阴极层为低功函数金属与Ag的合金层；第二阴极层，第二阴极层设置在所述第一阴极层上，第二阴极层为Ag纳米线层；其中，低功函数金属为功函数为1.5ev～3.5eV的金属。本发明通过将低功函数金属与Ag混合的合金层作为第一阴极层，既可保留低功函数金属较高的电子注入能力又可保留高功函数金属Ag的高稳定性。同时将Ag纳米线层作为第二阴极层，可与第一阴极层形成良好的界面接触，没有注入势垒，而且Ag纳米线是透明的，可以在增加厚度从而增加阴极可靠性的同时与第一阴极层组合形成透明的复合阴极结构，能够应用到顶发射发光器件或透明发光器件中。CN112331794ACN112331794A权利要求书1/1页1.一种复合阴极结构，其特征在于，包括：第一阴极层，所述第一阴极层为低功函数金属与Ag的合金层；第二阴极层，所述第二阴极层设置在所述第一阴极层上，所述第二阴极层为Ag纳米线层；其中，所述低功函数金属为功函数为1.5ev～3.5eV的金属。2.根据权利要求1所述的复合阴极结构，其特征在于，所述低功函数金属为Cs、Li、K、Na、Yb和Ba中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的复合阴极结构，其特征在于，所述第一阴极层中所述低功函数金属与所述Ag的质量比为(1～99):(1～99)；所述第一阴极层的厚度为2nm～20nm。4.根据权利要求1所述的复合阴极结构，其特征在于，所述第二阴极层的厚度为20nm～200nm；所述第二阴极层的方阻≤25Ω/sq；所述第二阴极层的透光率≥80％；所述第二阴极层中Ag纳米线的直径为10～50纳米，长径比不小于1000:1。5.根据权利要求1～4任一项所述的复合阴极结构，其特征在于，还包括：硬化层，所述硬化层设置在所述第二阴极层远离所述第一阴极层的一侧；其中，所述硬化层为二氧化硅和有机硅聚合物中的一种或多种；所述硬化层的厚度为1～5nm；所述硬化层的硬度≥5H；所述硬化层的透光率≥85％。6.一种复合阴极结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备第一阴极层，所述第一阴极层为低功函数金属与Ag的合金层，所述低功函数金属为功函数为1.5eV～3.5eV的金属；在所述第一阴极层上制备第二阴极层，所述第二阴极层为Ag纳米线层。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备第一阴极层的步骤包括以下步骤：将所述低功函数金属或低功函数金属前体与Ag共蒸镀形成所述第一阴极层；其中，所述低功函数金属前体为在蒸镀过程中能够分解得到所述低功函数金属的材料。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述低功函数金属前体为Cs2CO3、Li2CO3、K2CO3、NaH、LiH、KBH4、NaBH4和Li3N中的一种或多种。9.一种发光器件，其特征在于，包括权利要求1～5任一项所述的复合阴极结构或利用权利要求6～8任一项所述的制备方法制备得到的复合阴极结构。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的发光器件。2CN112331794A说明书1/5页复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示领域，特别是涉及一种复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置。背景技术[0002]显示技术从早期的阴极射线管(CRT)，到20世纪80年底中期的液晶显示(LCD)、等离子体平板显示(PDP)，再到目前主流的OLED/QLED显示，完成了一次又一次质的飞跃。OLED和QLED等发光器件由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示技术领域中的主流技术。在发光器件中，载流子的平衡是提高发光器件效率和稳定性的关键性因素。而载流子的注入效率直接影响发光器件发光过程中载流子的平衡，影响器件的发光效率和稳定性。对于电子注入效率而言，在大部分发光器件中，空穴载流子的数目要大于电子载流子的数目，即电子是少