量子点发光器件及其制备方法、显示装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115843192A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202110919258.1(22)申请日2021.08.11(71)申请人北京京东方技术开发有限公司地址100176北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室申请人京东方科技集团股份有限公司(72)发明人李东(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262专利代理师陈丹张奎燕(51)Int.Cl.H10K50/115(2023.01)H10K71/00(2023.01)H10K59/12(2023.01)C09K11/06(2006.01)权利要求书6页说明书24页附图4页(54)发明名称量子点发光器件及其制备方法、显示装置(57)摘要一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置，所述量子点发光器件包括：量子点发光层；载流子传输层，位于所述量子点发光层的至少一侧；单分子层，位于所述载流子传输层与所述量子点发光层之间；其中，所述单分子层的材料被配置为在可见光照射或加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型，在紫外光照射条件下分子构型由反式构型转化为顺式构型，反式构型的分子链长度比顺式构型的分子链长度大。本公开实施例的量子点发光器件在光照或加热条件下可以达到减弱电子注入的效果，以及抑制量子点受无机金属氧化物材料表面缺陷淬灭的效果。CN115843192ACN115843192A权利要求书1/6页1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：量子点发光层；载流子传输层，位于所述量子点发光层的至少一侧；单分子层，位于所述载流子传输层与所述量子点发光层之间；其中，所述单分子层的材料被配置为在可见光照射或加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型，在紫外光照射条件下分子构型由反式构型转化为顺式构型，反式构型的分子链长度比顺式构型的分子链长度大。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层为自组装单分子层。3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料中含有偶氮基团和基团中的至少一个。4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料的结构通式为：其中，式I中的A为碳原子或铵离子，并且当式I中的A为铵离子时，式I还包括卤素阴离子，所示卤素阴离子选自F‑、Cl‑、Br‑和I‑中的至少一种；式I和式II中的R1、R2各自独立地选自烷基、‑NH2、胺基、醇胺基、‑NO2、‑COOH和含有碳碳双键的基团中的至少一种。5.根据权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料选自以下化合物中的任意一种或多种：2CN115843192A权利要求书2/6页6.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料为配体，所述配体与所述量子点发光层的量子点配位结合。7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述配体中含有偶氮基团和基团中的至少一个。8.根据权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述配体的结构通式为：其中，式III中的A为碳原子或铵离子，并且当式III中的A为铵离子时，式III还包括卤素阴离子，所示卤素阴离子选自F‑、Cl‑、Br‑和I‑中的至少一种；式III和式VI中，R3与R4中的一个含有可以与所述量子点配位结合的配位基团，R3与R4中的另一个为自由端，所述配位基团选自巯基、羟基、胺基、氨基、羧基、酯基、膦基和膦氧基中的任意一种或多种。9.根据权利要求8所述的量子点发光器件，其特征在于，所述配体选自以下中的任意一种或多种：3CN115843192A权利要求书3/6页其中，R3为所述配位基团，R4为自由端。10.根据权利要求8所述的量子点发光器件，其特征在于，所述自由端中含有硅氧烷基。11.根据权利要求1至10中任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料被配置为在80℃至150℃加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型。12.根据权利要求1至10中任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述载流子传输层为电子传输层，并且包括无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2和ZrO2中的任意一种或多种；其中，ZnO包括金属掺杂的ZnO，所述金属掺杂的ZnO中掺杂的金属选自Mg、Al、Zr和Y中的任意一种或多种。13.根据权利要求12所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输层包括红色子像素电子传输层、绿色子像素电子传输层和蓝色子像素电子传输层；所述红色子像素电子传输层为无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物为ZnO或ZnMgO；所述绿色子像素电子传输层为无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属