发光器件及其制备方法和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114361354A(43)申请公布日2022.04.15(21)申请号202210005542.2(22)申请日2022.01.04(71)申请人北京京东方技术开发有限公司地址100176北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室申请人京东方科技集团股份有限公司(72)发明人高阳张迪(74)专利代理机构北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435代理人郭栋梁(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图4页(54)发明名称发光器件及其制备方法和显示装置(57)摘要本申请的实施例提供了一种发光器件及其制备方法和显示装置，所述发光器件包括衬底；位于所述衬底一侧，依次设置的第一电极、量子点层和第二电极；所述量子点层包括量子点发光层和量子点附加结构，所述量子点附加结构分散在所述量子点发光层中，所述量子点附加结构的发光效率低于所述量子点发光层的发光效率。本申请的发光器件通过形成分散在量子点发光层中的量子点附加结构使得在图案化形成量子点层的过程中残留的异色量子点不发光或减少发光，从而避免不同颜色之间出现串色或混色。CN114361354ACN114361354A权利要求书1/2页1.一种发光器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧，依次设置的第一电极、量子点层和第二电极；所述量子点层包括量子点发光层和量子点附加结构，所述量子点附加结构分散在所述量子点发光层中，所述量子点附加结构的发光效率低于所述量子点发光层的发光效率。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述量子点附加结构位于所述量子点发光层靠近所述第一电极的一侧，或者位于所述量子点发光层靠近所述第二电极的一侧。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述量子点发光层至少包括两种粒径大小的第一量子点和第二量子点，其中所述第一量子点的表面配体具有基团R1，所述第二量子点的表面配体具有基团R2，R1和R2相互接触时可发生反应生成所述量子点附加结构。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述基团R1和基团R2中的一者包括邻苯二酚基，另一者包括邻苯二胺基。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述量子点附加结构包括吩嗪。6.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述基团R1和基团R2为电荷相反的强极性官能团，所述量子点附加结构包括电荷转移耦合结构。7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述强极性官能团选自‑COOH、‑OH、‑CN、‑NHCO、‑CH3、‑NH2、‑SH、‑CHO中的至少一种。8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述基团R1和基团R2中的一者具有式(1)所示的结构式，另一者具有式(2)所示的结构式：9.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述基团R1在所述第一量子点中的质量占比和所述基团R2在所述第二量子点中的质量占比分别为10～50％。10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括电子传输层、空穴传输层和空穴注入层，所述第一电极、所述电子传输层、所述量子点层、所述空穴传输层、所述空穴注入层以及所述第二电极沿背离所述衬底方向依次设置；或，所述第一电极、所述空穴注入层，所述空穴传输层、所述量子点层、所述电子传输层以及所述第二电极沿背离所述衬底方向依次设置。11.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成第一电极、量子点层和第二电极；所述量子点层包括量子点发光层和量子点附加结构，所述量子点附加结构分散在所述量子点发光层中，所述量子点附加结构的发光效率低于所述量子点发光层的发光效率。12.根据权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，形成所述量子点层包括：利用表面连接有基团R1的第一量子点在所述第一电极远离所述衬底的一侧形成第一量子点发光层；利用表面连接有基团R2的第二量子点在所述第一量子点发光层远离所述衬底的一侧2CN114361354A权利要求书2/2页形成第二量子点发光层；其中，所述R1和R2相互接触并发生反应生成所述量子点附加结构。13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1‑10任一项所述的发光器件。3CN114361354A说明书1/12页发光器件及其制备方法和显示装置技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件及其制备方法和显示装置。背景技术[0002]量子点材料相比传统的有机发光二极管(OrganicLight‑EmittingDiode，OLED)的发光材料，拥有更窄的发光光谱，进而有更好的色彩表现，可实现全彩化显示。[0003]