一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112511130A(43)申请公布日2021.03.16(21)申请号202011505140.6(22)申请日2020.12.18(71)申请人中国电子科技集团公司第二十六研究所地址400060重庆市南岸区南坪花园路14号(72)发明人金中杜雪松司美菊罗旋升谢晓谢东峰(74)专利代理机构重庆博凯知识产权代理有限公司50212代理人李海华(51)Int.Cl.H03H9/25(2006.01)H03H9/64(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法(57)摘要本发明公开了一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法，步骤为，1）在晶圆工作表面粘贴一层底膜；2）通过光刻工艺去掉不需要的底膜，光刻后形成需要的通孔、切割道、腔体及墙结构；3）在墙结构上再粘贴一层顶膜；4）通过光刻工艺将与通孔对应的顶膜去除，留下腔体上方和切割道上方的顶膜；5）通过电镀在通孔内形成导通结构；6）将步骤5）得到的的镀层中不需要部分腐蚀掉；7）在通孔上方形成锡球；8）沿预留的切割道切割，得到多个独立的器件；9）通过倒装焊工艺将器件焊接在PCB板上；10）利用封料将器件封装在PCB板上，从而得到声表面波滤波器模组。本方法可以保证电镀时不发生漏液及电镀铜残留问题。CN112511130ACN112511130A权利要求书1/1页1.一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法，其特征在于：具体封装步骤如下：1）在晶圆工作表面粘贴一层底膜；2）通过光刻工艺去掉不需要的底膜，光刻部位形成需要的通孔、切割道和腔体，光刻后留下的底膜构成墙结构；3）在墙结构上再粘贴一层顶膜，顶膜将上一步切割形成的通孔、切割道和腔体封闭；4）通过光刻工艺将与通孔对应的顶膜去除，留下腔体上方和切割道上方的顶膜；5）通过电镀在通孔内形成导通结构；步骤4）留下的顶膜将切割道与电镀液隔离；6）通过腐蚀，将步骤5）得到的的镀层中不需要部分去掉；7）在通孔上方刷锡膏形成锡球；8）切割：沿预留的切割道进行切割，从而将整个晶圆切隔为预先设计好的多个独立的器件；9）通过锡球倒装焊工艺将单个器件焊接在对应的PCB板上；10）利用封装树脂将器件及其上的工作区域封装在PCB板上，从而得到最终的声表面波滤波器模组。2.根据权利要求1所述的一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法，其特征在于：步骤2）光刻时，在晶圆周围边缘切割道对应位置的底膜不光刻掉，使晶圆周围切割道位置形成墙结构，晶圆周围切割道位置的墙结构与晶圆周围其他墙结构连为封闭的一圈，该一圈墙结构配合后续粘贴的顶膜，形成一个完全封闭的结构。3.根据权利要求2所述的一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法，其特征在于：晶圆周围切割道位置的墙结构有且仅有一处光刻掉以形成将内外连通的气压平衡孔。4.根据权利要求1所述的一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法，其特征在于：步骤6）腐蚀时，至少保留部分腔体上方的电镀层以形成金属加强层，金属加强层周围至少有部分落在墙结构上以由墙结构对金属加强层进行支撑，金属加强层用于对所在位置腔体上方的顶膜进行保护以避免步骤10）的封装树脂将顶膜挤压变形。2CN112511130A说明书1/4页一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法技术领域[0001]本发明涉及声表面波滤波器封装技术，具体涉及一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法，属于声表面波滤波器技术领域。背景技术[0002]声表面波滤波器晶圆级封装是利用一种PI膜，通过光刻的办法，形成一个保护腔体，对声表面波滤波器进行保护。具体封装步骤为：1、在晶圆工作表面粘贴一层PI底膜；2、通过光刻工艺去掉不需要的膜层，光刻部位形成通孔、切割道和腔体，光刻后留下的PI底膜构成墙结构；3、在墙结构上再粘贴一层PI顶膜，顶模将上一步切割形成的通孔、切割道和腔体封闭；4、通过光刻工艺将与通孔、切割道对应的顶模去除，仅留下腔体上方的顶模（该剩下的部分构成封板）；5、通过电镀在通孔内形成导通结构；6、通过腐蚀，将不需要的镀层去掉；7、在通孔上方刷锡膏形成锡球；8）切割：沿预留的切割道进行切割，从而将整个晶圆切隔为预先设计好的多个独立的器件；9）通过锡球倒装焊工艺将单个器件焊接在对应的PCB板上；10）利用封装树脂将器件及其上的工作区域封装在PCB板上，从而得到最终的声表面波滤波器模组。[0003]上述封装工艺在实际应用中会出现两个问题：1、漏液问题。由于PI膜是负胶，存在倒梯形结构，一旦对位不准或者余量不够，在电镀过程中电镀液容易通过PI膜的根部渗漏而入腔体中，而腔体是器件最重要的功能区域，这将导致功能区受到腐蚀，严重的导致器件