一种研磨结构和研磨装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112536711A(43)申请公布日2021.03.23(21)申请号202011300630.2(22)申请日2020.11.19(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室申请人西安奕斯伟材料技术有限公司(72)发明人陈光林(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人胡影李红标(51)Int.Cl.B24B37/10(2012.01)B24B37/16(2012.01)B24B45/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种研磨结构和研磨装置(57)摘要本发明实施例提供一种研磨结构和研磨装置，属于研磨技术领域，研磨结构包括：基座；研磨盘，所述研磨盘上设有沟槽，所述研磨盘可拆卸地设在所述基座上。在本发明的研磨结构中，将研磨盘设计成可拆卸式，便于进行清洗，研磨盘可拆卸替换，避免因局部损伤导致整个研磨结构更换的问题，可有效提升研磨盘利用率；通过沟槽可以排除砂浆及碎屑，在使用过程中，可以将研磨盘从所述基座上拆卸下来，便于清洗沟槽中残留的砂浆及碎屑，防止出现砂浆及碎屑淤积，延长研磨盘寿命，使得加工过程中的砂浆流转均匀，提高硅片表面的平坦度。CN112536711ACN112536711A权利要求书1/1页1.一种研磨结构，其特征在于，包括：基座；研磨盘，所述研磨盘上设有沟槽，所述研磨盘可拆卸地设在所述基座上。2.根据权利要求1所述的研磨结构，其特征在于，所述研磨盘包括：连接板和研磨体，所述连接板与所述基座可拆卸地连接，相邻的两个所述研磨体之间间隔开限定出所述沟槽。3.根据权利要求2所述的研磨结构，其特征在于，所述研磨体可拆卸地设在所述连接板上。4.根据权利要求2所述的研磨结构，其特征在于，相邻两个所述研磨体之间的间距可调节。5.根据权利要求2所述的研磨结构，其特征在于，还包括：双头螺栓，相邻两个所述研磨体之间通过所述双头螺栓连接。6.根据权利要求2所述的研磨结构，其特征在于，所述连接板为环形，所述连接板的内侧边缘设有第一螺栓，所述第一螺栓连接所述连接板与所述基座，所述连接板的外侧边缘设有第二螺栓，所述第二螺栓连接所述连接板与所述基座。7.根据权利要求1所述的研磨结构，其特征在于，所述基座上设有沿所述基座的厚度方向贯穿的通孔，所述通孔与所述沟槽连通。8.一种研磨装置，其特征在于，包括如权利要求1‑7中任一项所述的研磨结构。9.根据权利要求8所述的研磨装置，其特征在于，所述研磨装置包括：机体；驱动结构，所述驱动结构设在所述机体上，所述驱动结构与所述研磨结构的所述基座相连；浆料供应结构，所述浆料供应结构与所述沟槽连通。10.根据权利要求9所述的研磨装置，其特征在于，所述研磨结构具有两个，两个所述研磨结构在所述研磨盘的轴向方向上间隔开，且两个所述研磨结构中的所述研磨盘相对设置。2CN112536711A说明书1/4页一种研磨结构和研磨装置技术领域[0001]本发明涉及研磨技术领域，具体涉及一种研磨结构和研磨装置。背景技术[0002]半导体硅片加工过程主要包括长晶、成型、抛光和清洗几个主要环节，其中，成型工序主要对产品的厚度、外形尺寸进行磨削。现有的研磨工艺中，常通过研磨盘对硅片进行研磨，使其达到指定厚度机平平坦度。现有研磨盘易出现砂浆及碎屑淤积，导致研磨盘寿命缩短，加工过程中砂浆流转不均匀，不同区域研磨效率出现差异，最终导致产品厚度及平坦度降低。发明内容[0003]有鉴于此，本发明提供一种研磨结构和研磨装置，用以解决现有研磨盘易出现砂浆及碎屑淤积，加工过程中砂浆流转不均匀，导致产品平坦度降低的问题。[0004]为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：[0005]第一方面，本发明实施例提供一种研磨结构，包括：[0006]基座；[0007]研磨盘，所述研磨盘上设有沟槽，所述研磨盘可拆卸地设在所述基座上。[0008]其中，所述研磨盘包括：[0009]连接板和研磨体，所述连接板与所述基座可拆卸地连接，相邻的两个所述研磨体之间间隔开限定出所述沟槽。[0010]其中，所述研磨体可拆卸地设在所述连接板上。[0011]其中，相邻两个所述研磨体之间的间距可调节。[0012]其中，还包括：[0013]双头螺栓，相邻两个所述研磨体之间通过所述双头螺栓连接。[0014]其中，所述连接板为环形，所述连接板的内侧边缘设有第一螺栓，所述第一螺栓连接所述连接板与所述基座，所述连接板的外侧边缘设有第二螺栓，所述第二螺栓连接所述连接板与所述基座。[0015]其中，所述基座上设有沿所述基座的厚度方向贯穿的通孔，所述通孔与所述沟槽连通。[0016]第二方面，本发明实施例提供一种研磨装置