用于建立晶片连接的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112789240A(43)申请公布日2021.05.11(21)申请号201980065389.9(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司(22)申请日2019.09.2472002代理人侯鸣慧(30)优先权数据102018216971.32018.10.04DE(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B81B7/00(2006.01)2021.04.02(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2019/0757532019.09.24(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/069925DE2020.04.09(71)申请人罗伯特·博世有限公司地址德国斯图加特(72)发明人V·森兹T·弗里德里希F·霍伊克P·施莫尔林格鲁贝尔F·罗尔夫林J·托马斯科权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称用于建立晶片连接的方法(57)摘要本发明涉及一种用于在第一晶片和第二晶片之间建立晶片连接的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供第一材料和第二材料以形成共晶合金，‑提供第一晶片，该第一晶片具有用于凸模结构的接收结构，‑用所述第一材料填充所述接收结构，‑提供具有凸模结构的第二晶片，其中，在所述凸模结构上布置所述第二材料，‑提供在第一晶片和/或第二晶片上的止挡结构，使得在这两个晶片接合时提供限定的止挡，‑至少将所述第一材料和第二材料至少加热到所述共晶合金的共晶温度，‑将所述第一晶片和第二晶片接合，使得所述凸模结构至少部分地插入到所述接收结构中，其中，确定所述止挡结构、所述接收结构、所述凸模结构的尺寸以及第一材料和第二材料的量，使得在这两个晶片接合之后，这两个材料的共晶合金保留在所述接收结构内并且所述凸模结构至少部分被所述共晶合金包围。CN112789240ACN112789240A权利要求书1/2页1.一种用于在第一晶片和第二晶片(2，3)之间建立晶片连接的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供(S1)第一材料和第二材料(4a，4b)以形成共晶合金(4c)；‑提供(S2)第一晶片(2)，该第一晶片具有用于凸模结构(6)的接收结构(5)；‑用所述第一材料(4a)填充(S3)所述接收结构(5)；‑提供(S4)具有凸模结构(6)的第二晶片(3)，其中，在所述凸模结构(6)上布置所述第二材料(4b)；‑提供(S5)在第一晶片和/或第二晶片(2，3)上的止挡结构(8)，使得在这两个晶片(2，3)接合时提供限定的止挡(8a)；‑至少将所述第一材料和第二材料(4a、4b)至少加热(S6)到所述共晶合金(4c)的共晶温度；‑将所述第一晶片和第二晶片(2，3)接合(S7)，使得所述凸模结构(6)至少部分地插入到所述接收结构(5)中，其中，确定所述止挡结构、所述接收结构(5)、所述凸模结构(6)的尺寸以及第一材料和第二材料的量，使得在这两个晶片(2，3)接合之后，由这两个材料(4a，4b)组成的共晶合金保留在所述接收结构(5)内并且所述凸模结构(5)至少部分被所述共晶合金包围。2.根据权利要求1所述的方法，其中，这两个材料(4a，4b)的至少一个材料仅部分地熔化。3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述凸模结构(5)的厚度(101)制造得比所述止挡结构(8)的厚度(102)大。4.根据权利要求1‑3中任一项所述的方法，其中，确定所述止挡结构(8)、所述接收结构(5)、所述凸模结构(6)的尺寸以及第一材料和第二材料(4a，4b)的量，使得在这两个晶片(2，3)接合之后，所述凸模结构(6)至少部分地布置在所述第一材料(4a)在接合之前在所述接收结构(5)中的体积的表面(4a')的下方。5.根据权利要求1‑4中任一项所述的方法，其中，在所述接合之后，在所述第一晶片和第二晶片(2，3)之间保留接受容积(9)。6.根据权利要求1‑5中任一项所述的方法，其中，在所述第一晶片(3)上，所述接收结构和止挡结构(8)相对彼此间隔开。7.根据权利要求1‑6中任一项所述的方法，其中，所述第一材料(4a)设置有至少两个缺口(10a，10b)，其中，这些缺口布置为，使得在这两个晶片(2，3)接合时，所述缺口对应于所述凸模结构(6)的边缘(6’，6")，使得所述缺口(10a，10b)之间的间距(103)等于或大于所述边缘(61，6")之间的间距。8.根据权利要求1‑7中任一项所述的方法，其中，将具有至少为10:1、有利地至少为100:1、尤其至少为1000:1的宽度(106)‑厚度(107)比的所述第二材料(4b)布置在所述凸模结构(6)上。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述凸模结构(6)的宽度(104)构造为大于所述第二材料(4b)