沟槽型功率器件的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112802751A(43)申请公布日2021.05.14(21)申请号202011624731.5(22)申请日2020.12.31(71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司地址510000广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号(72)发明人袁伟黄康荣宁润涛(74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限公司31295代理人王宏婧(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图7页(54)发明名称沟槽型功率器件的制备方法(57)摘要本发明提供了一种沟槽型功率器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括器件单元区、电极连接区及终端区，所述器件单元区及所述电极连接区中分别形成有若干第一沟槽及若干第二沟槽，所述第一沟槽及所述第二沟槽的内壁上形成有第一氧化层；在所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上形成图形化的光刻胶层，对所述第一多晶硅层进行刻蚀以使所述第一多晶硅层的顶部低于所述第一沟槽的顶部；对所述第一沟槽中的第一氧化层进行湿法刻蚀以使所述第一沟槽中的第一氧化层的顶部低于所述第一多晶硅层的顶部；本发明避免了多晶硅残留导致器件短路，提高器件的电学性能。CN112802751ACN112802751A权利要求书1/2页1.一种沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括器件单元区、电极连接区及终端区，所述器件单元区及所述电极连接区中分别形成有若干第一沟槽及若干第二沟槽，所述第一沟槽及所述第二沟槽的内壁上形成有第一氧化层；在所述第一沟槽及所述第二沟槽中分别填充第一多晶硅层及第二多晶硅层；在所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上形成图形化的光刻胶层，并对所述第一多晶硅层进行刻蚀以使所述第一多晶硅层的顶部低于所述第一沟槽的顶部；对所述第一沟槽中的第一氧化层进行湿法刻蚀以使所述第一沟槽中的第一氧化层的顶部低于所述第一多晶硅层的顶部；去除所述图形化的光刻胶层，在所述第一沟槽中依次形成第二氧化层及第三多晶硅层，所述第二氧化层覆盖所述第一沟槽的侧壁及所述第一多晶硅层的暴露的外壁，所述第三多晶硅层填充所述第一沟槽。2.如权利要求1所述的沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层及所述第三多晶硅层还延伸至所述基底上，在所述第一沟槽中依次形成第二氧化层及第三多晶硅层之后，还包括：对所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上的第一氧化层进行湿法刻蚀以去除所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上的第一氧化层的至少部分厚度；去除所述基底上的第三多晶硅层，同时去除所述第二多晶硅层高于所述基底的部分；对所述第一沟槽及所述第二沟槽两侧的基底进行离子注入，且对所述终端区的基底进行离子注入，以在所述基底中形成阱区及位于所述阱区中的源区。3.如权利要求2所述的沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，所述阱区与所述源区的离子掺杂类型不同。4.如权利要求3所述的沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，所述阱区与所述源区中的一者的离子掺杂类型分别为N型，另一者的离子掺杂类型为P型。5.如权利要求2所述的沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，去除所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上的第一氧化层的至少部分厚度之后，所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上的第一氧化层的厚度与所述基底的器件单元区上的第二氧化层的厚度不同。6.如权利要求5所述的沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上的第一氧化层的厚度小于所述基底的器件单元区上的第二氧化层的厚度。7.如权利要求1所述的沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，所述基底包括衬底及外延层，所述第一沟槽及所述第二沟槽均形成于所述外延层中。8.如权利要求1所述的沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，在所述第一沟槽中依次形成第二氧化层及第三多晶硅层的步骤包括：在所述第一沟槽中形成所述第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述第一沟槽的侧壁、所述第一多晶硅层的暴露的外壁及所述基底露出的表面；在所述第二氧化层上形成所述第三多晶硅层，所述第三多晶硅层填充所述第一沟槽且覆盖所述第二氧化层、所述电极连接区中的第一氧化层及所述终端区中的第一氧化层。2CN112802751A权利要求书2/2页9.如权利要求2所述的沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，在所述第一沟槽中依次形成第二氧化层及第三多晶硅层之后，且在对所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上的第一氧化层进行湿法刻蚀之前，还包括：对所述第三多晶硅层进行刻蚀，以去除所述第三多晶硅层的部分厚度且显露出所述基底的电极连接区及所述基底的终端区上的第一氧化层的表面