具有多层膜片的半导体换能器装置以及制造具有多层膜片的半导体换能器装置的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112997056A(43)申请公布日2021.06.18(21)申请号201980072605.2瑞曼科·亨里克斯·威廉姆斯·皮(22)申请日2019.10.16内伯格(30)优先权数据(74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事18205001.32018.11.07EP务所(普通合伙)11413代理人罗小晨谢攀(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.04.30(51)Int.Cl.G01L9/00(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2019/0781132019.10.16(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/094351EN2020.05.14(71)申请人希奥检测有限公司地址荷兰埃因霍温(72)发明人亚历山大·费斯耶格·西格特威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林权利要求书2页说明书5页附图1页(54)发明名称具有多层膜片的半导体换能器装置以及制造具有多层膜片的半导体换能器装置的方法(57)摘要半导体换能器装置包括悬置在半导体本体(1)上方的膜片(10)。所述膜片(10)的第一层(9)包括耐蚀刻剂的材料，所述蚀刻剂包括氟或氟化合物，并且所述第一层覆盖包括钛和/或TiN的第二层(8)。因此所述第一层(9)充当保护层并且防止在使用HF蒸汽来蚀刻牺牲层(5)以释放所述膜片(10)期间的例如氟化钛的残留物的产生。CN112997056ACN112997056A权利要求书1/2页1.一种半导体换能器装置，包括：‑半导体本体(1)，和‑膜片(10)，其具有第一层(9)和第二层(8)，其中，所述膜片(10)的主延伸平面与所述半导体本体(1)的表面平行设置，‑所述膜片(10)在与所述膜片(10)的主延伸平面垂直的方向上与半导体本体(1)相距一定距离悬置，‑所述第二层(8)包括钛和/或氮化钛，‑所述第一层(9)包括耐蚀刻剂的材料，所述蚀刻剂包括氟或氟化合物，以及‑所述第二层(8)设置在所述半导体本体(1)与第一层(9)之间。2.根据权利要求1所述的半导体换能器装置，其中，对于包括氟或氟化合物的蚀刻剂，所述第一层(9)的蚀刻速率低于所述第二层(8)的蚀刻速率。3.根据权利要求1或2所述的半导体换能器装置，其中，所述第一层(9)包括钨、铝、氧化铝、碳化硅和硅锗中的至少一种。4.根据权利要求1至3之一所述的半导体换能器装置，其中，‑所述膜片(10)还包括与所述第二层(8)接触的第三层(7)，并且‑相比于所述第二层(8)，所述第三层(7)以距半导体本体(1)更短的距离设置。5.根据权利要求4所述的半导体换能器装置，其中，所述膜片(10)还包括第四层(6)，其中所述第四层(6)：‑包括钛和/或氮化钛，并且‑相比于所述第三层(7)，以距半导体本体(1)更短的距离设置。6.根据权利要求4或5所述的半导体换能器装置，其中，所述第三层(7)包括金属。7.根据权利要求1至6之一所述的半导体换能器装置，其中，所述半导体本体(1)还包括集成电路(14)。8.根据权利要求1至7之一所述的半导体换能器装置，还包括：‑电极层(3)，其设置在所述半导体本体(1)与膜片(10)之间，‑通孔(12)，其将所述电极层(3)和半导体本体(1)互连，以及‑另外的通孔(13)，其将所述膜片(10)和半导体本体(1)互连。9.根据权利要求8所述的半导体换能器装置，还包括覆盖层(2)，所述覆盖层设置在所述半导体本体(1)与电极层(3)之间。10.根据权利要求1至9之一所述的半导体换能器装置，还包括蚀刻停止层(4)，所述蚀刻停止层设置在所述半导体本体(1)与膜片(10)之间。11.一种压力传感器，其包括根据权利要求1至10之一所述的半导体换能器装置。12.一种移动装置，其包括具有根据权利要求1至10之一所述的半导体换能器装置的压力传感器。13.一种制造半导体换能器装置的方法，其包括：‑提供半导体本体(1)，‑在所述半导体本体(1)的表面上方形成牺牲层(5)，‑在所述牺牲层(5)上施加膜片(10)，以及‑去除所述牺牲层(5)，2CN112997056A权利要求书2/2页其中，‑施加所述膜片(10)包括施加第一层(9)和第二层(8)、使所述第一层和第二层图案化以及结构化，‑施加所述第一层(9)包括施加耐蚀刻剂的材料，所述蚀刻剂包括氟或氟化合物，以及‑去除所述牺牲层(5)包括将包括氟或氟化合物的蚀刻剂引入到所述膜片(10)的开口(11)中。14.根据权利要求13所述的方法，其中，对于包括氟或氟化合物的蚀刻剂，所述第一层(9)的材料的蚀刻速率低于第二层(8)的材料的蚀刻速率。15.根据权利要求13或14所述的方法，其中‑施加所述第二层(8)包括施加钛和/或氮化钛，并且‑所述第