荧光膜片及半导体发光装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114156392A(43)申请公布日2022.03.08(21)申请号202111195399.X(22)申请日2021.10.14(71)申请人江西省晶能半导体有限公司地址330096江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号(72)发明人余泓颖魏水林江柳杨(51)Int.Cl.H01L33/56(2010.01)H01L33/50(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称荧光膜片及半导体发光装置(57)摘要本发明提供了一种荧光膜片及半导体发光装置，其中荧光膜，包括硅胶和荧光粉，硅胶和荧光粉的质量比为1∶(3～4)，且硅胶的折射率小于1.45。其使用折射率小于1.45的硅胶对荧光膜片进行制备，且制备中荧光粉与硅胶的质量比在(3～4)∶1，确保能够制备得到低色温/色区目标点距离坐标原点很远的色温的半导体发光装置。在制备过程中，不会出现荧光粉和硅胶混合后流动性很差、无法正常成膜的现象，可以达到能够正常使用的荧光膜片的外观标准，即表面光滑平整无空洞的膜片，且荧光膜片不会过脆导致切割过程中出现开裂等问题。CN114156392ACN114156392A权利要求书1/1页1.一种荧光膜片，其特征在于，所述荧光膜片中包括硅胶和荧光粉，所述硅胶和荧光粉的质量比为1∶(3～4)，且所述硅胶的折射率小于1.45。2.如权利要求1所述的荧光膜片，其特征在于，所述荧光膜片的厚度为40～135μm。3.一种半导体发光装置，其特征在于，所述半导体发光装置中包括蓝光LED芯片，及贴于所述蓝光LED芯片发光侧表面的如权利要求1或2所述的荧光膜片。2CN114156392A说明书1/4页荧光膜片及半导体发光装置技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种荧光膜片及半导体发光装置。背景技术[0002]白光LED芯片发出的白光一般通过蓝光LED芯片激发黄色荧光粉得到，封装过程一般包括：将蓝光LED芯片固于封装支架中之后，在碗杯内进行点胶(荧光胶)操作。这一过程简单易操作，但仅适用于对荧光胶外观的要求比较低的小功率产品(通常功率≤0.5w)，如2835灯珠、EMC系列灯珠等，且这类产品寿命较短。[0003]对于特定性能需求的产品，如制作彩光(偏离黑体曲线的蓝光LED芯片激发的非白光饱和的彩光颜色，如红色、绿色、金黄色、琥珀色等)LED、低色温(蓝光LED芯片激发后沿着黑体曲线趋势上的区域色温低于2200K)LED等，常规的封装方法，尤其由常规配比制备得到的荧光胶不再适用，需要高浓度的某种波段的荧光粉方能实现。在当前的制膜(为便于贴片制备荧光膜片)技术中，常使用折射率≥1.45的硅胶混合荧光粉对相应的荧光膜片进行制备。[0004]对于折射率≥1.45的硅胶，在制备荧光膜片的过程中，常规的配比(硅胶:荧光粉的质量比为1:(0.5～3))下，荧光胶在固化后较容易与其下部紧密接触的荧光膜支撑膜分离，但是当荧光粉浓度大到一定程度(由混合后荧光胶的状态确定，具体表现为混合荧光胶时较难搅拌，流动性较差，有明显的颗粒状；刷膜时几乎很难在支撑膜上成形，或刷膜后膜片表面不光滑，有明显的空洞/颗粒状)之后，无法制备得到外观平滑可正常使用的荧光膜片。因此有技术人员提出通过增加荧光胶中硅胶的配比，即降低荧光粉浓度增加荧光膜片厚度的方式达到目标色区点的位置。正常配比下，达到可成形而膜片表面不光滑的临界状态时，厚度通常≥120μm，在该方法下，增加后的膜片厚度通常≥160μm，这一厚度对于后续的工艺制程，将会较难操作，例如切割膜片将会花费更多的时间或需要更大的设备功率等，浪费人力物力财力；或由于膜片太厚，设备对膜片上下表面层的应力无法稳定控制，导致膜片表面凹凸不平不能达到生产要求。[0005]有技术人员提出通过添加稀释剂的方式来调节荧光胶的流动性，以达到荧光胶可以操作制膜的目的，但是此种方法制成的荧光膜片固化后硬度通常较大，会使荧光膜片产生脆性，同样会在后续工艺操作中增加工艺成本，例如切割时需要特别注意荧光膜片的开裂问题等。发明内容[0006]为了克服以上不足，本发明提供了一种荧光膜片及半导体发光装置，有效解决现有采用常规折射率≥1.45的硅胶制备用于彩光LED、低色温LED等半导体发光装置中的荧光膜片中，易出现的膜片凹凸不平有孔洞、开裂等技术问题。[0007]本发明提供的技术方案为：[0008]一方面，本发明提供了一种荧光膜片，所述荧光膜片中包括硅胶和荧光粉，所述硅3CN114156392A说明书2/4页胶和荧光粉的质量比为1:(3～4)，且所述硅胶的折射率小于1.45。[0009]进一步优选地，所述荧光膜片的厚度为40～135μm。[0010]另一方面，本发明提供了一种半导体