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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112993138A(43)申请公布日2021.06.18(21)申请号202011140930.9(22)申请日2020.10.22(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)(72)发明人王涛(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人熊永强(51)Int.Cl.H01L33/62(2010.01)H01L33/44(2010.01)权利要求书1页说明书8页附图12页(54)发明名称芯片基板及其制作方法(57)摘要本申请提供一种芯片基板制作方法,将包含一金属层的外延结构与一显示背板键合,然后对键合后的外延结构中除开金属层的部分进行刻蚀,以形成多个互相分离的外延层。并在外延层上形成掩膜层,通过在掩膜层的遮蔽下对金属层进行刻蚀,得到多个相互独立的金属层。刻蚀结束后,掩膜层的侧边会形成一金属膜层,通过将刻蚀完成后的显示背板放置在一倾斜底座上,使得金属膜层能够被刻蚀去除。本申请方法使得在芯片基板制作过程中除去了金属膜层的残留能够避免因金属膜层而导致的短路现象。本申请还涉及一种由上述方法制备的芯片基板。CN112993138ACN112993138A权利要求书1/1页1.一种芯片基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一外延结构;所述外延结构包括一金属层;将所述外延结构具有所述金属层的一面与一显示背板键合;对键合后的所述外延结构进行刻蚀,以形成多个互相分离的外延层;于各所述外延层上分别形成一掩膜层,并在所述掩膜层的遮蔽下对键合后的所述金属层进行刻蚀;其中,一金属膜层在刻蚀所述金属层的过程中形成于所述掩膜层的侧面;将刻蚀完成后的所述显示背板置于一底座上以对所述掩膜层侧面的所述金属膜层进行刻蚀;其中,所述底座与所述显示背板接触的一面相对水平面倾斜。2.如权利要求1所述的芯片基板制作方法,其特征在于,在对所述掩膜层侧面的所述金属膜层进行刻蚀的过程中控制所述底座旋转或摇摆。3.如权利要求1所述的芯片基板制作方法,其特征在于,所述底座与所述显示背板接触的一面与水平面的夹角β满足条件:15°≤β≤32°。4.如权利要求1所述的芯片基板制作方法,其特征在于,形成有所述金属膜层的侧面与水平面之间的夹角α为锐角。5.如权利要求4所述的芯片基板制作方法,其特征在于,所述夹角α满足条件:50°≤α≤75°。6.如权利要求1所述的芯片基板制作方法,其特征在于,所述掩膜层的层厚h满足条件:1μm≤h≤3μm。7.如权利要求1所述的芯片基板制作方法,其特征在于,还包括:去除所述掩膜层,并制作钝化层覆盖所述显示背板;在所述钝化层对应所述外延层的位置制作电极。8.如权利要求7所述的芯片基板制作方法,其特征在于,所述钝化层同时覆盖所述外延层、所述金属层以及所述显示背板。9.如权利要求7所述的芯片基板制作方法,其特征在于,在所述钝化层对应所述外延层的位置制作电极,包括:图案化所述钝化层以露出部分所述外延层;于露出的所述外延层上沉积一导电材料以制作形成所述电极。10.一种芯片基板,其特征在于,所述芯片基板由权利要求1-9任一项所述的芯片基板制作方法制成。2CN112993138A说明书1/8页芯片基板及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及芯片制造技术领域,特别涉及一种芯片基板的制作方法,以及一种由上述方法制成的芯片基板。背景技术[0002]在垂直结构的芯片基板制作过程中,通常先通过金属键合的方式将显示背板和外延结构键合后,再对外延结构进行刻蚀。在此过程中,通常先对键合后的外延结构进行刻蚀以形成多个相互分离的外延层,并利用离子束干法刻蚀技术(IBE)对金属层进行分割以得到多个P电极。在分割工艺中,溅射出的金属碎屑会沿着掩膜层累积并形成附着于掩膜层侧面的金属膜层。累积的金属膜层无法利用去胶制程去除。[0003]由于上述缺陷的存在,在后期对显示背板进行镀膜时,会导致累积的金属膜层存在的位置不易镀上钝化层,或者镀上的钝化层在此处极易发生断裂,导致后续芯片制程中可能出现短路的不良现象。发明内容[0004]本申请的目的在于解决现有技术的不足,提出了一种芯片基板的制作方法,以去除制作芯片基板的过程中可能出现的金属膜层,避免造成短路的现象,具体包括如下技术方案:[0005]一种芯片基板制作方法,包括以下步骤:[0006]提供一外延结构;所述外延结构包括一金属层;[0007]将所述外延结构具有所述金属层的一面与一显示背板键合;[0008]对键合后的所述外延结构进行刻蚀,以形成多个互相分离的外延层;[0009]于各所述外延层上分别形成一掩膜层,并在所述掩膜层的遮蔽下对键合后的所述金属层进行刻蚀;其中,一金属膜层在刻蚀所述金属层