打线、打线封装结构、打线系统及打线方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113013135A(43)申请公布日2021.06.22(21)申请号202110180863.1(22)申请日2021.02.09(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号(72)发明人颜尤龙博恩·卡尔·艾皮特(74)专利代理机构北京植德律师事务所11780代理人唐华东(51)Int.Cl.H01L23/498(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图3页(54)发明名称打线、打线封装结构、打线系统及打线方法(57)摘要本公开提供了打线、打线封装结构、打线系统及打线方法。通过预先形成与打线键合操作对应的打线，该打线包括非键合区和至少两个键合区，键合区为未包覆绝缘层的干净的纯金属线，而非键合区包覆有绝缘层，且该打线中不存在绝缘层残留物。采用该打线所形成的打线封装结构中，因为没有绝缘残留物，不会影响金属件化合物的形成，进而打线接合强度和可靠度较高。CN113013135ACN113013135A权利要求书1/2页1.一种打线，包括有至少两个键合区，其中，所述打线中键合区部分未包覆绝缘层，所述打线中键合区以外的非键合区部分包覆有绝缘层。2.根据权利要求1所述的打线，其中，所述打线为金线。3.根据权利要求1所述的打线，其中，所述绝缘层为防焊漆。4.一种打线封装结构，包括打线、第一焊垫和第二焊垫，其中，所述打线分别与所述第一焊垫和所述第二焊垫形成相应键合区，所述打线中键合区部分未包覆绝缘层，所述打线中键合区以外的非键合区部分包覆有绝缘层。5.根据权利要求4所述的打线封装结构，其中，所述打线为金线。6.根据权利要求4所述的打线封装结构，其中，所述绝缘层为防焊漆。7.根据权利要求4所述的打线封装结构，其中，所述第一焊垫为晶片上的焊垫，所述第二焊垫为封装基板上的焊垫或者导线架上的焊垫。8.一种打线系统，包括：移除单元与打线单元，所述移除单元包括长度计算模组、移除模组与清洗模组，其中：所述长度计算模组，被配置成：计算当前打线操作对应的至少两个键合区中每个键合区的位置和长度；所述移除模组，被配置成：按照所述长度计算模组计算得到的每个键合区的位置和距离，使用激光移除绝缘导线表面的绝缘层；所述清洗模组，被配置成：清洗所述绝缘导线上所述移除模组移除绝缘层所遗留的绝缘层残留物，以形成打线，所述打线有至少两个键合区，其中，所述打线中键合区部分未包覆绝缘层，所述打线中键合区以外的非键合区部分包覆有绝缘层；所述打线单元，被配置成：对所述打线按照所述长度计算模组计算得到的每个键合区的位置和距离进行打线键合操作。9.根据权利要求8所述的打线系统，其中，所述使用激光移除绝缘导线表面的绝缘层，包括：使用二氧化碳激光移除绝缘导线表面的绝缘层。10.根据权利要求8所述的打线系统，其中，所述清洗所述绝缘导线上所述移除模组移除绝缘层所遗留的绝缘层残留物，包括：使用电浆清洗所述绝缘导线上所述移除模组移除绝缘层所遗留的绝缘层残留物。11.根据权利要求8所述的打线系统，其中，所述对所述打线按照所述长度计算模组计算得到的每个键合区的位置和距离进行打线键合操作，包括：将所述打线缠绕进卷线器，使用打线接合工具对所述打线按照所述长度计算模组计算得到的每个键合区的位置和距离进行打线键合操作。12.一种打线方法，包括：计算当前打线操作对应的至少两个键合区中每个键合区的位置和长度；按照计算得到的每个键合区的位置和距离，使用激光移除绝缘导线表面的绝缘层；清洗所述绝缘导线上所遗留的绝缘层残留物，以形成打线，所述打线有至少两个键合区，其中，所述打线中键合区部分未包覆绝缘层，所述打线中键合区以外的非键合区部分包覆有绝缘层；对所述打线按照计算得到的每个键合区的位置和距离进行打线键合操作。2CN113013135A权利要求书2/2页13.根据权利要求12所述的打线方法，其中，所述使用激光移除绝缘导线表面的绝缘层，包括：使用二氧化碳激光移除绝缘导线表面的绝缘层。14.根据权利要求12所述的打线方法，其中，所述清洗所述绝缘导线上所遗留的绝缘层残留物，包括：使用电浆清洗所述绝缘导线上所遗留的绝缘层残留物。15.根据权利要求12所述的打线方法，其中，所述对所述打线按照计算得到的每个键合区的位置和距离进行打线键合操作，包括：将所述打线缠绕进卷线器，使用打线接合工具对所述打线按照计算得到的每个键合区的位置和距离进行打线键合操作。16.一种打线系统，包括：涂布单元与打线单元，所述涂布单元包括长度计算模组、涂布模组与固化模组，其中：所述长度计算模组，被配置成：计算当前打线操作对应的至少两个键合区中每个键合区的位置和长度；所述涂布模组，被配置成：按照所述长度计算模