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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113053922A(43)申请公布日2021.06.29(21)申请号202110273960.5G09F9/35(2006.01)(22)申请日2021.03.15(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人杨薇薇(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人张晓薇(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/84(2006.01)G09F9/33(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称显示面板及其制备方法(57)摘要本申请实施例公开了一种显示面板,包括基板;第一电极,位于第一金属层,设置在所述基板上;复合绝缘层,设置在所述第一金属层上,包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层,所述有机绝缘层上对应所述第一电极开设有凹槽,所述复合绝缘层在所述凹槽处形成凹部;第二电极,位于第二金属层,设置在所述凹部内。本申请所公开的显示面板,能在不降低薄膜晶体管电性性能的基础上,显著减少第二金属层因第一金属层图案化而产生的金属残留现象。CN113053922ACN113053922A权利要求书1/2页1.一种显示面板,其特征在于,包括:基板;第一电极,位于第一金属层,设置在所述基板上;复合绝缘层,设置在所述第一金属层上,包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层,所述有机绝缘层上对应所述第一电极开设有凹槽,所述复合绝缘层在所述凹槽处形成凹部;以及第二电极,位于第二金属层,设置在所述凹部内。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:有源层,设置在所述基板上;以及栅极绝缘层,设置在所述有源层上,其中,所述第一电极为第一栅极,设置在所述栅极绝缘层上;所述第二电极为第二栅极,设置在所述第二无机绝缘层上。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极和所述有机绝缘层在所述第一金属层上的正投影无重叠;所述第二电极在所述有机绝缘层上的正投影覆盖所述凹槽,所述第二电极与所述有机绝缘层至少部分重叠。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极在所述第一金属层上的投影完全覆盖所述第一电极。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽贯穿所述有机绝缘层在所述有机绝缘层上形成开口。6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述开口从所述有机绝缘层向所述第一无机层延伸,并在所述第一无机层上形成与所述开口相连通的延伸凹槽。7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的厚度均在至之间,所述有机绝缘层的厚度范围为200nm至3000nm。8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机绝缘层选自丙烯酸树脂、聚酰亚胺和环氧树脂中的一种或多种,所述有机绝缘层的厚度范围为500nm至1500nm。9.一种显示面板,其特征在于,包括:基板;缓冲层,设置在所述基板上;有源层,设置在所述缓冲层上;栅极绝缘层,设置在所述有源层上;第一栅极,位于第一金属层,设置在所述栅极绝缘层上;复合绝缘层,设置在所述第一金属层上,包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层,所述有机绝缘层对应所述第一电极开设有贯穿所述有机绝缘层的开口,所述复合绝缘层在所述开口处形成凹部;第二栅极,位于第二金属层,与所述第一栅极相对的设置在所述凹部内;层间绝缘层,位于所述第二金属层上方,其上开设有第一过孔、第二过孔和第三过孔;所述第一过孔和所述第二过孔贯穿所述层间绝缘层、所述复合绝缘层和所述栅极绝缘层,分别延伸至所述有源层的两端;2CN113053922A权利要求书2/2页第三金属层,其上形成有源极和漏极,所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层连接。10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:B1、在基板上依次设置缓冲层、有源层、栅极绝缘层以及第一金属层,对所述第一金属层进行图案化制程以获得第一栅极;B2、在所述第一金属层上依次设置第一无机绝缘层和有机绝缘层,通过对所述有机绝缘层进行图案化处理,在所述有机绝缘层上与所述第一栅极相对应的位置开设出凹槽;B3、在图案化处理后的所述有机绝缘层上设置第二无机绝缘层,所述第一无机绝缘层、所述有机绝缘层和所述第二无机绝缘层组成复合绝缘层,所述复合绝缘层在所述凹槽处相应凹陷形成凹部;B4、在所述复合绝缘层上设置第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理以获得第二栅极,所述第二栅极位于所述凹部内;B5、在所述第二金属层上设置层间绝缘层;B6、通过图案化制程在所述层间绝缘层上开设第一过孔、第二过孔和第三过