

一种改善扩散方阻均匀性和稳定性的方法.pdf
一吃****永贺
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一种改善扩散方阻均匀性和稳定性的方法.pdf
本发明公开了一种改善扩散方阻均匀性和稳定性的方法,在工艺腔内的进气方式采用炉尾进气,炉口抽气的方式,工艺气体流动从炉尾向炉口方向;石英舟托上依次放置舟托匀流板和石英舟,舟托匀流板上开设有若干个按顺序均匀排布的小孔,在炉腔一端内靠近进气管出气口的位置放置炉内匀流板。本发明在靠近进气管出气口的位置,放置有一个炉内匀流板,当工艺气体通过炉内匀流板时气体被打散的更均匀,可以使工艺气流与硅片接触的更均匀,同时避免了气体绕流对工艺的影响,能极大的改善扩散方阻均匀性和稳定性。
一种改善SE电池扩散方阻均匀性的方法.pdf
本发明公开了一种改善SE电池扩散方阻均匀性的方法,步骤A选取单晶片源;步骤B硅片常规制绒;步骤C硅片通过扩散炉管进行优化扩散,扩散温度770~790℃,扩散时间6~8min,小N2气体流量200~250sccm,大N2气体流量400~500sccm,O2气体流量350~450sccm;步骤D硅片依次常规激光PSG掺杂、刻蚀、热氧化退火、背钝化、PECVD正面镀膜、激光刻槽、印刷烧结,得到单晶PERC激光掺杂电池片;步骤E对电池片进行EL和外观全检。本发明工艺简单,容易实现,可使有效改善电池片低浓度掺杂区的
改善扩散方阻单片均匀度的低压扩散工艺.pdf
本发明一种改善扩散方阻单片均匀度的低压扩散工艺,采用管式低压扩散氧化炉制备,包括如下步骤:S1、低温常压进舟:S2、抽真空:S3、两次交替低温低压充氮氧化:S4、三次推结:S5、低温低压氧化:S6、充氮降温升压:S7、出舟。该工艺改善了扩散方阻单片均匀度,使硅片内P‑N结生长均匀一致,提高氧化吸杂效果的,减少了少数载流子的复合中心数量,提高少数载流子寿命,达到提升电池片效率的效果。
一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉.pdf
本发明属于半导体扩散工艺设备领域,公开一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉,包括:炉门、炉体、进气管、出气管和隔热部,炉体一侧开口,炉门安装在炉体的开口处,炉门一端与炉体铰接,进气管和出气管分别与炉体连通,进气管至少为两个,炉体内靠近炉门一侧活动设置有隔热部。本方案可以使炉口气体浓度以及停留时间增加,并采用多路进气管,改善炉口处气体均匀性,提升了炉口附近硅片方阻扩散的均匀性。
一种改善IGBT磷扩散均匀性的方法.pdf
本发明公开了一种改善IGBT磷扩散均匀性的方法,包括:将磷扩散炉升温至680℃~720℃,通入流量为15slm~30slm的氮气,将放置有需磷扩散的IGBT芯片的小舟推入所述磷扩散炉内;调温至800℃~850℃,通入流量为15slm~30slm的氮气和流量为500sccm~2000sccm的氧气,炉内的APC压力控制在0.05KPA~0.3KPA,在所述IGBT芯片的表面形成氧化阻挡层;保持温度、压力和氮气流量不变,进行第一次磷扩散。所述改善IGBT磷扩散均匀性的方法,通过在IGBT芯片表面形成氧化阻挡层