光刻对准标记及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113394198A(43)申请公布日2021.09.14(21)申请号202110617458.1(22)申请日2021.05.28(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201315上海市浦东新区良腾路6号(72)发明人郑辉何洪波王剑(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人周耀君(51)Int.Cl.H01L23/544(2006.01)G03F9/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称光刻对准标记及其形成方法(57)摘要本发明提供了一种光刻对准标记及其形成方法，所述形成方法包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底上涂覆第一光刻胶层；刻蚀所述第一光刻胶层，在所述衬底上形成一沟槽；清除所述衬底上残留的第一光刻胶层，并在所述衬底上涂覆第二光刻胶层，使所述第二光刻胶层覆盖所述沟槽；刻蚀所述第二光刻胶层，在所述沟槽内形成对准标记，所述对准标记包括四个相同的条形图案，使所述沟槽的深度和所述沟槽周边的第二光刻胶层的厚度之和与所述条形图案的宽度之比小于设计值。通过严格控制所述对准标记的深宽比，改善了所述对准标记的所处环境，从而避免了所述对准标记因深宽比过大而发生坍塌的问题。CN113394198ACN113394198A权利要求书1/1页1.一种光刻对准标记的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底上涂覆第一光刻胶层；刻蚀所述第一光刻胶层，在所述衬底上形成一沟槽；清除所述衬底上残留的第一光刻胶层，并在所述衬底上涂覆第二光刻胶层，使所述第二光刻胶层覆盖所述沟槽；刻蚀所述第二光刻胶层，在所述沟槽内形成对准标记，所述对准标记包括四个相同的条形图案，使所述沟槽的深度和所述沟槽周边的第二光刻胶层的厚度之和与所述条形图案的宽度之比小于设计值。2.如权利要求1所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述设计值为2。3.如权利要求1所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述对准标记包括两个沿X方向设置的第一条形图案以及两个沿Y方向设置的第二条形图案，所述第一条形图案与所述第二条形图案完全相同，且两个所述第一条形图案及两个所述第二条形图案均关于所述对准标记的中心对称设置。4.如权利要求3所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一条形图案的外边界与所述沟槽的边界之间具有第一间隙。5.如权利要求4所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一间隙不小于5微米。6.如权利要求3所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述第二条形图案的外边界与所述沟槽的边界之间具有第二间隙。7.如权利要求6所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述第二间隙不小于30微米。8.如权利要求1所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述对准标记位于所述沟槽的正中心。9.如权利要求1所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述衬底的材质为铝。10.一种光刻对准标记，其特征在于，采用如权利要求1‑9中任一项所述的光刻对准标记的形成方法形成。2CN113394198A说明书1/4页光刻对准标记及其形成方法技术领域[0001]本发明半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻对准标记及其形成方法。背景技术[0002]BSI(背照图像传感器)是在传统图像传感器技术的基础上将原来处于镜头与感光半导体之间的电路部分转移到感光半导体周围或下面，使得光线直接可以进入感光半导体，减少反射，大幅提高采光的效率。在BSI制程中，光刻对准标记的放置位置较为特殊，所述光刻对准标记通常放置于一个沟槽内，所述沟槽通过刻蚀光刻胶形成，由于所述沟槽内的光刻胶的轮廓不平整且呈下坡型，从而易导致光刻对准标记的设置环境较差。并且，若所述光刻对准标记的图案为直线型，当所述沟槽较深时，受深宽比大的影响，易导致所述光刻对准标记坍塌。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种光刻对准标记及其形成方法，能够改善对准标记的所处环境，避免对准标记因深宽比过大而发生坍塌的问题。[0004]为了达到上述目的，本发明提供了一种光刻对准标记的形成方法，包括以下步骤：[0005]提供衬底，并在所述衬底上涂覆第一光刻胶层；[0006]刻蚀所述第一光刻胶层，在所述衬底上形成一沟槽；[0007]清除所述衬底上残留的第一光刻胶层，并在所述衬底上涂覆第二光刻胶层，使所述第二光刻胶层覆盖所述沟槽；[0008]刻蚀所述第二光刻胶层，在所述沟槽内形成对准标记，所述对准标记包括四个相同的条形图案，使所述沟槽的深度和所述沟槽周边的第二光刻胶层的厚度之和与所述条形图案的宽度之比小于设计值。[0009]可选的，所述设计值为2。[0010]可选的，所述对准标记包括两个沿X方向设置的第一条形图案以及