光刻标记、对准标记及对准方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111948919A(43)申请公布日2020.11.17(21)申请号202010832174.X(22)申请日2020.08.18(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201315上海市浦东新区良腾路6号(72)发明人童立峰李铭陈继华(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人曹廷廷(51)Int.Cl.G03F9/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称光刻标记、对准标记及对准方法(57)摘要本发明提供一种光刻标记、对准标记以及对准方法。所述光刻标记包括：遮光结构和感光结构。所述遮光结构上设有多个盲孔，所述感光结构填充于多个所述盲孔内并且能够在一定光照下消失。基于同一发明构思，本发明还提供一种对准标记，包括第一对准标记和第二对准标记，所述第二对准标记包括至少一个所述光刻标记。当机台提供的光束照射于所述第二对准标记上，所述感光结构消失，则所述盲孔暴露。因盲孔的底面低于所述遮光结构的表面以满足机台的测量范围，从而使得在保障所述光刻标记厚度的同时，能够通过所述盲孔精准测得所述第二对准标记相对于所述第一对准标记的偏移量，进而能够实现各衬底层之间的位置对准，提高器件性能及产品的良率。CN111948919ACN111948919A权利要求书1/2页1.一种光刻标记，其特征在于，包括：遮光结构和感光结构；所述遮光结构上设有多个盲孔，所述感光结构填充于多个所述盲孔内并且所述感光结构能够在一定光照下消失。2.根据权利要求1所述的光刻标记，其特征在于，多个所述盲孔均匀分布于所述遮光结构上。3.根据权利要求2所述的光刻标记，其特征在于，相邻两个所述盲孔的中心之间的间距小于0.18微米。4.根据权利要求1所述的光刻标记，其特征在于，在设置有多个所述盲孔的所述遮光结构的表面上，多个所述盲孔的总面积小于所述遮光结构面积的30％。5.根据权利要求1所述的光刻标记，其特征在于，所述遮光结构的形状包括长方体或回形体。6.根据权利要求1所述的光刻标记，其特征在于，所述盲孔的截面的形状包括矩形、圆形或三角形。7.根据权利要求1所述的光刻标记，其特征在于，所述光刻标记的材质为光刻胶。8.一种对准标记，其特征在于，所述对准标记包括第一对准标记和第二对准标记，所述第二对准标记包括至少一个如权利要求1～7中任意一项所述光刻标记；其中，所述第一对准标记设置于第一衬底上；所述第二对准标记设置于第二衬底上，所述第二衬底位于所述第一衬底上。9.根据权利要求8所述的对准标记，其特征在于，所述第二对准标记包括多个所述光刻标记，多个所述光刻标记组合成长方体或回形体。10.根据权利要求8所述的对准标记，其特征在于，所述第一对准标记形状包括长方体或回形体。11.根据权利要求8所述的对准标记，其特征在于，所述第一对准标记的厚度小于或等于所述第二对准标记的厚度。12.根据权利要求8所述的对准标记，其特征在于，所述第一对准标记的尺寸大于所述第二对准标记。13.根据权利要求8所述的对准标记，其特征在于，所述第二对准标记在所述第一衬底上的投影在所述第一对准标记内。14.一种对准方法，其特征在于，使用如权利要求8～13中任意一项所述对准标记，所述对准方法包括：机台提供一光束，所述光束照射于所述第二对准标记上以使所述感光结构消失；通过多个所述盲孔测量并计算出所述第二对准标记相对于所述第一对准标记的的偏移量；根据所述偏移量调整所述机台参数。15.根据权利要求14所述的对准方法，其特征在于，所述偏移量包括第一方向上的偏移量和第二方向上的偏移量；其中，所述第一方向和所述第二方向相互垂直。16.根据权利要求15所述的对准方法，其特征在于，所述偏移量的计算方法如下：2CN111948919A权利要求书2/2页其中，e1为第一方向上的偏移量；e2为第二方向上的偏移量；Δx1为第一对准标记和第二对准标记在第一方向上相同的一侧边之间的距离；Δx2为第一对准标记和第二对准标记在第一方向上相同的另一侧边之间的距离；Δy1为第一对准标记和第二对准标记在第二方向上相同的一侧边之间的距离；Δy2为第一对准标记和第二对准标记在第二方向上相同的另一侧边之间的距离。3CN111948919A说明书1/5页光刻标记、对准标记及对准方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光刻标记、对准标记及对准方法。背景技术[0002]在半导体器件制备工艺中，必不可少地要使用到光刻胶。光刻胶作为后续工艺中的掩蔽层，用于把集成电路设计的图形转移到硅基板上。其中，转移过程要遵循精确与偏差小的两大原则，精确是指线宽大小满足工艺需求，偏差小是指当前制备的电路层需要和前一层电路层之间尽可能的减