光刻对准标记及其制备方法和应用.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115963709A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211737413.9(22)申请日2022.12.31(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号(72)发明人厉巧巧(74)专利代理机构上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286专利代理师吴浩(51)Int.Cl.G03F9/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称光刻对准标记及其制备方法和应用(57)摘要本发明提供了一种光刻对准标记，包括若干沟槽，若干所述沟槽通过深硅刻蚀工艺设置于深硅刻蚀工艺层，所述沟槽的结构参数由所述深硅刻蚀工艺层的结构参数确定。本发明解决了在深硅刻蚀工艺层中现有的常规对准标记图形线宽因不满足设计要求会造成缺陷的问题。CN115963709ACN115963709A权利要求书1/1页1.一种光刻对准标记，其特征在于，包括若干沟槽，若干所述沟槽通过深硅刻蚀工艺设置于深硅刻蚀工艺层，所述沟槽的结构参数由所述深硅刻蚀工艺层的结构参数确定。2.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其特征在于，所述沟槽的结构参数包括线宽和深度。3.根据权利要求2所述的光刻对准标记，其特征在于，所述沟槽的线宽为0.45‑0.55微米，所述沟槽的深度为4.5‑5.5微米。4.根据权利要求2所述的光刻对准标记，其特征在于，所述沟槽的线宽和所述沟槽的深度的比例为1:10。5.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其特征在于，所述沟槽的边缘侧壁为平面，所述沟槽的边缘侧壁与所述沟槽的底部之间的夹角为88‑90°。6.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其特征在于，相邻所述沟槽的间距为0.5微米。7.一种如权利要求1‑6任一项所述的光刻对准标记的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：光刻对准标记设置于掩膜版，利用光刻和深硅刻蚀工艺将所述掩膜版上的所述光刻对准标记转移到基底上以形成沟槽，所述沟槽在所述基底上形成的图形为所述光刻对准标记。8.一种如权利要求1‑6任一项所述的光刻对准标记的应用，其特征在于，包括以下步骤：将光刻对准标记放置于深硅刻蚀工艺层，然后以所述深硅刻蚀工艺层作为对准层进行曝光。2CN115963709A说明书1/3页光刻对准标记及其制备方法和应用技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻对准标记及其制备方法和应用。背景技术[0002]集成电路制造过程中，光刻是一个重要的工艺流程，其通过涂覆光刻胶、曝光和显影将设计的图形转移到光刻胶上，再通过刻蚀将图形转移到硅片上。在光刻过程中，为保证器件各层间的套刻精度，通常会在前层工艺层次中放置对准标记以为后续层次进行对准。[0003]在MIM电容和2.5D工艺中为了增加电容单位容值，都会采用深硅刻蚀工艺层，并且此层往往会作为后续层次的对准层。若深硅刻蚀工艺层作为对准层，此层采用的常规光刻对准标记图形的线宽较大，由于对准标记图形的线宽较大在进行后续层次的光刻工艺时，导致有些区域的光刻胶涂布会不平，有凹陷，从而使得这些区域失焦造成不良曝光，而且这些区域的侧壁光刻胶厚度会比其他地方薄得多，导致在显影中侧壁光刻胶可能会脱落形成缺陷，常规光刻对准标记图形的线宽因不满足设计要求会造成前面所述的缺陷问题。因此为了控制后续工艺的套刻精度，目前通常做法是额外引入一层对准层以给后续工艺层次做对准，此方法虽然解决了缺陷问题，但这样不仅增加了工艺层次，还增加了工艺成本。[0004]因此，有必要开发一种新的光刻对准标记及其制备方法和应用，以避免现有技术中存在的上述问题。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种光刻对准标记及其制备方法和应用，以解决在深硅刻蚀工艺层中现有的常规对准标记图形线宽因不满足设计要求会造成缺陷的问题。[0006]为实现上述目的，本发明的所述光刻对准标记，包括若干沟槽，若干所述沟槽通过深硅刻蚀工艺设置于深硅刻蚀工艺层，所述沟槽的结构参数由所述深硅刻蚀工艺层的结构参数确定。[0007]可选的，所述沟槽的结构参数包括线宽和深度。[0008]可选的，所述沟槽的线宽为0.45‑0.55微米，所述沟槽的深度为4.5‑5.5微米。[0009]可选的，所述沟槽的线宽和所述沟槽的深度的比例为1:10。[0010]可选的，所述沟槽的边缘侧壁为平面，所述沟槽的边缘侧壁与所述沟槽的底部之间的夹角为88‑90°。[0011]可选的，相邻所述沟槽的间距为0.5微米。[0012]本发明的另一目的提供了一种光刻对准标记的制备方法，包括以下步骤：光刻对准标记设置于掩膜版，利用光刻和深硅刻蚀工艺将所述掩膜版上的所述光刻对准标记转移到基底上以形成沟槽，所述沟槽在所述基底上形成的图形