半导体结构的形成方法及半导体结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113410179A(43)申请公布日2021.09.17(21)申请号202010181067.5(22)申请日2020.03.16(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230001安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人陆勇(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294代理人孙佳胤陈丽丽(51)Int.Cl.H01L21/8242(2006.01)H01L27/108(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图9页(54)发明名称半导体结构的形成方法及半导体结构(57)摘要本发明提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成叠层结构于一衬底表面，所述叠层结构包括交替叠置的支撑层和牺牲层；形成缓冲层于所述叠层结构背离所述衬底的表面；形成贯穿所述叠层结构和所述缓冲层并暴露所述电容触点的电容孔；形成覆盖所述电容孔内壁的第一电极层；形成贯穿所述缓冲层的刻蚀窗口；沿所述刻蚀窗口除去所述叠层结构中部分的所述支撑层和全部的所述牺牲层；去除所述缓冲层，所述第一电极层凸出于残留的所述叠层结构之上；形成电介质层、以及第二电极层，形成电容器。本发明提高了电容阵列区域横向的稳定性，并能有效提高电容器的电容值。CN113410179ACN113410179A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：形成叠层结构于一衬底表面，所述衬底内具有电容触点，所述叠层结构包括沿垂直于所述衬底的方向交替叠置的支撑层和牺牲层；形成缓冲层于所述叠层结构背离所述衬底的表面；形成贯穿所述叠层结构和所述缓冲层并暴露所述电容触点的电容孔；形成覆盖所述电容孔内壁并与所述电容触点接触的第一电极层；形成贯穿所述缓冲层并暴露所述叠层结构的刻蚀窗口；沿所述刻蚀窗口除去所述叠层结构中部分的所述支撑层和全部的所述牺牲层；去除所述缓冲层，所述第一电极层凸出于残留的所述叠层结构之上；形成覆盖于所述第一电极层和残留的所述叠层结构表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的第二电极层，形成电容器。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成叠层结构于一衬底表面的具体步骤包括：提供一衬底，所述衬底内部具有电容触点；沿垂直于所述衬底的方向依次沉积第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一电极层覆盖所述电容孔内壁和所述缓冲层表面；形成贯穿所述缓冲层并暴露所述叠层结构的刻蚀窗口的具体步骤包括：形成覆盖所述第一电极层表面的掩膜层，所述掩膜层中具有暴露所述第一电极层的刻蚀图案；沿所述刻蚀图案依次刻蚀所述第一电极层和所述缓冲层，形成暴露所述第三支撑层的刻蚀窗口。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述刻蚀窗口除去所述叠层结构中部分的所述支撑层和全部的所述牺牲层的具体步骤包括：沿所述刻蚀窗口刻蚀部分的所述第三支撑层，形成暴露所述第二牺牲层的第一开口，残留的所述第三支撑层与所述第一电极层的侧壁连接；沿所述第一开口去除所述第二牺牲层，暴露所述第二支撑层；沿所述第一开口刻蚀部分的所述第二支撑层，形成暴露所述第一牺牲层的第二开口；沿所述第二开口去除所述第一牺牲层。5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，一个所述刻蚀窗口与三个及以上的所述电容孔交叠。6.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成暴露所述第二牺牲层的第一开口的具体步骤包括：去除与所述刻蚀图案交叠区域的部分所述第一电极层；沿所述刻蚀图案去除部分的所述缓冲层；沿所述刻蚀图案去除部分的所述第三支撑层，形成暴露所述第二牺牲层的第一开口。7.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述刻蚀窗口除去所述叠层结构中部分的所述支撑层和全部的所述牺牲层的具体步骤还包括：2CN113410179A权利要求书2/2页沿所述刻蚀窗口刻蚀部分所述第三支撑层的同时、刻蚀部分所述掩膜层；沿所述第一开口刻蚀部分的所述第二支撑层的同时、刻蚀掉残留的所述掩膜层，暴露所述第一电极层；去除覆盖于所述缓冲层表面的所述第一电极层，暴露所述缓冲层。8.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖于所述第一电极层和残留的所述叠层结构表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的第二电极层的具体步骤包括：形成覆盖所述第一电极层、残留的所述第三支撑层、残留的所述第二支撑层、以及所述第一支撑层表面的电介质层；形成覆盖所述电介质层表面的第二电极层；形成覆盖所述第二电极层表面的导电层。9.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法