半导体结构的形成方法及半导体结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114446869A(43)申请公布日2022.05.06(21)申请号202011233498.8(22)申请日2020.11.06(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人刘志拯(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/528(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图8页(54)发明名称半导体结构的形成方法及半导体结构(57)摘要本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，包括：提供基底，基底包括中心区和位于中心区第一方向边缘的相对两外侧的虚置区，中心区包括成型区以及位于成型区第二方向边缘的相对两外侧的裁剪区；在基底上形成多个间隔设置的芯柱；在基底上形成环绕且覆盖芯柱侧壁的初始掩膜层；去除位于裁剪区的初始掩膜层，以形成位于成型区的若干间隔设置的掩膜侧墙条，且保留位于虚置区的初始掩膜层作为环状侧墙；去除位于中心区以及虚置区的芯柱；以掩膜侧墙条为掩膜刻蚀基底，形成多个功能结构，且以环状侧墙为掩膜刻蚀基底，形成位于多个功能结构两侧的伪功能结构。本发明实施例有利于提高伪功能结构的稳定性。CN114446869ACN114446869A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括中心区和位于所述中心区第一方向边缘的相对两外侧的虚置区，所述中心区包括成型区以及位于所述成型区第二方向边缘的相对两外侧的裁剪区；在所述基底上形成多个间隔设置的芯柱，位于所述中心区的所述芯柱横跨所述成型区以及所述裁剪区，每一所述虚置区形成有至少一个所述芯柱；在所述基底上形成环绕且覆盖所述芯柱侧壁的初始掩膜层；去除位于所述裁剪区的所述初始掩膜层，以形成位于所述成型区的若干间隔设置的掩膜侧墙条，且保留位于所述虚置区的所述初始掩膜层作为环状侧墙；去除位于所述中心区以及所述虚置区的所述芯柱；以所述掩膜侧墙条为掩膜刻蚀基底，形成多个功能结构，且以所述环状侧墙为掩膜刻蚀基底，形成位于多个所述功能结构两侧的伪功能结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述裁剪区的所述初始掩膜层的工艺步骤包括：形成图形层，所述图形层覆盖所述虚置区以及所述成型区的所述初始掩膜层，且露出所述裁剪区的所述初始掩膜层；以所述图形层为掩模，刻蚀去除所述裁剪区的所述初始掩膜层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于所述虚置区的所述芯柱的长度短于位于所述中心区的所述芯柱的长度；形成的所述图形层在所述基底上的正投影的形状为矩形。4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于所述虚置区的所述芯柱与位于所述中心区的所述芯柱的长度相同且端面齐平；形成的所述图形层在所述基底上的正投影的形状为工字型。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，先去除所述芯柱，后去除位于所述裁剪区的所述初始掩膜层。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，先去除位于所述裁剪区的所述初始掩膜层，后去除所述芯柱。7.根据权利要求5或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，去除所述芯柱。8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的初始位线层；以所述掩膜侧墙条为掩膜刻蚀基底，包括：刻蚀所述初始位线层，形成所述功能结构，所述功能结构为位线结构；以所述环状侧墙为掩膜刻蚀基底，包括：刻蚀所述初始位线层，形成所述伪功能结构，所述伪功能结构为伪位线结构。9.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括中心区和位于所述中心区相对两侧的虚置区；多个间隔设置的功能结构，所述功能结构位于所述中心区的基底上；伪功能结构，所述伪功能结构位于所述虚置区的所述基底上，且所述伪功能结构为环状结构。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述伪功能结构为矩形环状结构。11.根据权利要求9所述半导体结构，其特征在于，多个所述功能结构沿第一方向平行排布；且在沿所述第一方向上，所述功能结构的厚度大于或等于所述伪功能结构的厚度。2CN114446869A权利要求书2/2页12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述功能结构沿第二方向延伸，且在沿所述第二方向上，所述伪功能结构的长度小于或等于所述功能结构的长度。13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述伪功能结构包括顺次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边，且所述第一侧边与所述第三侧边相对，且所述第一侧边、所述