金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113436962A(43)申请公布日2021.09.24(21)申请号202110703929.0(22)申请日2021.06.24(71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司地址312000浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号(72)发明人张瑜(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人田婷(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图1页(54)发明名称金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法(57)摘要本发明提供了一种金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法，所述金属薄膜的制造方法包括：提供一衬底；执行第一温度成膜工艺，以形成第一金属薄膜于所述衬底上；以及，执行第二温度成膜工艺，以形成第二金属薄膜于所述第一金属薄膜上，所述第二温度高于所述第一温度，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜构成的金属薄膜为掺铜铝膜。本发明的技术方案能够避免金属薄膜出现铜析出的问题，从而避免导致对金属薄膜刻蚀时出现刻蚀残留。CN113436962ACN113436962A权利要求书1/2页1.一种金属薄膜的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；执行第一温度成膜工艺，以形成第一金属薄膜于所述衬底上；以及，执行第二温度成膜工艺，以形成第二金属薄膜于所述第一金属薄膜上，所述第二温度高于所述第一温度，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜构成的金属薄膜为掺铜铝膜。2.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，在执行所述第一温度成膜工艺之前，所述金属薄膜的制造方法还包括：清洗所述衬底；以及，烘干所述衬底。3.如权利要求2所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，烘干温度为200℃～300℃。4.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一温度成膜工艺采用的温度为250℃～350℃。5.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一温度成膜工艺采用的功率为4000W～10000W。6.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第二温度成膜工艺采用的温度为350℃～500℃。7.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第二温度成膜工艺采用的功率为8000W～10000W。8.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一金属薄膜的厚度大于所述第二金属薄膜的厚度。9.如权利要求8所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一金属薄膜的厚度为所述第二金属薄膜的厚度为10.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺执行所述第一温度成膜工艺和所述第二温度成膜工艺。11.如权利要求1所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述金属薄膜的制造方法还包括：重复循环执行所述第一温度成膜工艺和所述第二温度成膜工艺，以形成具有设定厚度的所述金属薄膜。12.如权利要求1～11中任一项所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，在执行所述第一温度成膜工艺之后且在执行所述第二温度成膜工艺之前，所述金属薄膜的制造方法还包括：执行第一次降温工艺，以使得所述衬底的温度降至20℃～30℃。13.如权利要求12所述的金属薄膜的制造方法，其特征在于，在执行所述第二温度成膜工艺之后，所述金属薄膜的制造方法还包括：执行第二次降温工艺，以使得所述衬底的温度降至20℃～30℃。14.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1至13中任一项所述的金属薄膜的制造方法制造金属薄膜于一衬底上；2CN113436962A权利要求书2/2页刻蚀所述金属薄膜，以形成金属导电层。15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属导电层为焊盘。3CN113436962A说明书1/5页金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法。背景技术[0002]目前，很多集成电路中会采用掺铜铝膜制作金属导电层，并且，若金属导电层为焊盘时，用于制作焊盘的金属薄膜要求很高的厚度。现有的制作金属薄膜的方法是将衬底在高温环境的成膜腔室中一次制作完成，而掺铜铝在高温下随着成膜厚度的积累，热积累就越多，严重影响金属薄膜的晶格大小，导致铝和铜形成固溶物，且在金属薄膜降温后固溶物中会有铜析出，导致后续对金属薄膜刻蚀形成焊盘时出现刻蚀残留的问题。参阅图1，在刻蚀金属薄膜形成焊盘11时，由于铜析出导致在衬底表面形成鼓包(Hillock)，阻碍了刻蚀的进行，从而导致在衬底表面形成刻蚀残留物12。[0003]因此，如何对金属薄膜的制造方法进行改进，以避免出现刻蚀残留是目前亟需解决的问题。发明内容[000