测试样品的制备方法及测试样品.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113466277A(43)申请公布日2021.10.01(21)申请号202110711489.3(22)申请日2021.06.25(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号(72)发明人吴诗嫣夏卫东李漪(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270代理人高洁张颖玲(51)Int.Cl.G01N23/227(2018.01)G01N23/2202(2018.01)G01N23/04(2018.01)G01N1/30(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图7页(54)发明名称测试样品的制备方法及测试样品(57)摘要本公开实施例公开了一种测试样品的制备方法。所述方法包括：提供包括失效区域的待处理结构；其中，所述待处理结构包括：多级台阶，覆盖所述台阶的介质层、位于所述台阶表面上方且设置于所述介质层中的接触插塞、以及贯穿所述台阶的虚拟沟道柱；沿相交于所述多级台阶所在斜面的预设方向，朝向所述台阶减薄所述待处理结构，以形成预处理样品；其中，所述预处理样品包括所述失效区域；沿所述预设方向，所述预处理样品表面残留的所述接触插塞的厚度大于或等于第一预设厚度；去除所述预处理样品表面残留的所述介质层，以显露所述虚拟沟道柱，形成所述测试样品。CN113466277ACN113466277A权利要求书1/2页1.一种测试样品的制备方法，其特征在于，包括：提供包括失效区域的待处理结构；其中，所述待处理结构包括：多级台阶，覆盖所述台阶的介质层、位于所述台阶表面上方且设置于所述介质层中的接触插塞、以及贯穿所述台阶的虚拟沟道柱；沿相交于所述多级台阶所在斜面的预设方向，朝向所述台阶减薄所述待处理结构，以形成预处理样品；其中，所述预处理样品包括所述失效区域；沿所述预设方向，所述预处理样品表面残留的所述接触插塞的厚度大于或等于第一预设厚度；去除所述预处理样品表面残留的所述介质层，以显露所述虚拟沟道柱，形成所述测试样品。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沿相交于所述多级台阶所在斜面的预设方向，朝向所述台阶减薄所述待处理结构，包括：在第一电流下，采用聚焦离子束工艺，沿所述预设方向，朝向所述台阶对所述待处理结构进行第一减薄处理；当对所述待处理结构进行所述第一减薄处理至第一预设时长后，在第二预设电流下，采用聚焦离子束工艺，沿所述预设方向，朝向所述台阶对所述待处理结构进行第二减薄处理；其中，所述第一预设电流大于所述第二预设电流。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沿相交于所述多级台阶所在斜面的预设方向，朝向所述台阶减薄所述待处理结构，还包括：检测所述待处理结构，获得第一检测图像；当所述第一检测图像中未显露所述虚拟沟道柱的顶面时，继续对所述待处理结构进行所述第二减薄处理；当所述第一检测图像中显露所述虚拟沟道柱的顶面时，停止对所述待处理结构进行所述第二减薄处理。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一减薄处理的处理条件包括：聚焦离子束工艺的第一电压范围为5千伏至30千伏，所述第一电流的范围为1纳安至60纳安；所述第二减薄处理的处理条件包括：聚焦离子束工艺的第二电压范围为5千伏至30千伏，所述第二电流的范围为0.1纳安至15纳安。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述预处理样品表面残留的所述介质层，以显露所述虚拟沟道柱，形成所述测试样品，包括：采用刻蚀液浸泡所述预处理样品至少1次，以显露所述虚拟沟道柱的顶面，形成所述测试样品。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀液浸泡所述预处理样品至少1次，以显露所述虚拟沟道柱的顶面，形成所述测试样品，包括：采用所述刻蚀液第n次浸泡所述预处理样品至第二预设时长，以使所述刻蚀液与所述预设处理样品发生化学反应并生成液态产物和/或气态产物；其中，n为大于或等于1的自然数；2CN113466277A权利要求书2/2页分离经过所述第n次浸泡的所述预处理样品和所述刻蚀液，并去除附着在所述预处理样品表面的所述刻蚀液；检测经过第n次浸泡的所述预处理样品，获得第二检测图像；当所述第二检测图像中未显露所述虚拟沟道柱的顶面时，采用所述刻蚀液第(n+1)次浸泡经过所述第n次浸泡后的所述预处理样品至所述第二预设时长；当所述第二检测图像中显露所述虚拟沟道柱的顶面时，确定形成了所述测试样品。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二预设时长的范围为5s至15s。8.根据权利要求5至7任一项所述的方法，其特征在于，所述刻蚀液包括：氢氟酸或缓冲氧化物刻蚀液。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理结构包括相对设置的两个侧壁，所述接触插塞位于所述