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气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法.pdf
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气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法.pdf
本发明涉及气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。本发明提供一种能够抑制气体喷嘴顶端的气体滞留的技术。本公开的一个方式的气体喷嘴是沿着大致圆筒形状的处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有：多个第1气体孔，其沿着长度方向空出间隔地设置；以及第2气体孔，其设于顶端，在从长度方向俯视观察时取向为与设有所述多个第1气体孔的一侧相反的一侧，开口面积比所述多个第1气体孔的各自的开口面积大。
2023-11-06
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基板处理方法以及基板处理装置.pdf
本发明提供能够从挡板的内壁良好地去除残留的异物的基板处理方法以及基板处理装置，该基板处理方法，包括：基板保持工序，将基板保持为水平姿势；药液供给工序，一边使所述基板以通过该基板的中央部的铅垂的旋转轴线为中心旋转，一边向所述基板的主表面供给药液；处理高度保持工序，与所述药液供给工序并行，将捕获从所述基板排出的药液的筒状的第一挡板保持在处理高度位置；以及清洗高度保持工序，在所述处理高度保持工序之后，与所述药液供给工序并行，将所述第一挡板保持在比所述处理高度位置更靠下方的清洗高度位置。
2023-11-15
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基板处理方法以及基板处理装置.pdf
本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
2023-11-15
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基板处理方法以及基板处理装置.pdf
本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括如下步骤：从多个最大高度中检索与在应处理的基板的表面形成的图案的宽度对应的最大高度，多个最大高度分别是在图案的某个特定的宽度下不会发生图案倒塌的图案的高度的最大值；然后，判定图案的高度是否大于最大高度；在图案的高度大于最大高度的情况下，向基板供给疏水化剂，以便在图案的侧面中的除了从图案的根部至最大高度为止的根部侧区域以外的区域即顶端侧区域整体形成疏水化区域，在图案的侧面中的根部侧区域的至少一部分残留非疏水化区域；然后，使基板干燥。
2023-11-21
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基板处理装置以及基板处理方法.pdf
本发明涉及抑制产生处理残留物和产生液体飞溅的基板处理装置及其方法。该装置具有基板的旋转保持部、沿着大致铅垂方向喷射处理液的液滴的喷流的第一喷嘴、喷出处理液的连续流的第二喷嘴、使第一喷嘴和第二喷嘴一体移动的喷嘴移动部。当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置更靠旋转中心侧。而且，液滴的喷流的着落位置和连续流的着落位置这两者的移动路径不同，和/或连续流和液滴的喷流这两者的流向不同。这两者的移动路径不同是因当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位
2023-11-21
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