一种碳化硅基半导体器件的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114361029A(43)申请公布日2022.04.15(21)申请号202210245817.X(22)申请日2022.03.14(71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公司地址100000北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A(72)发明人何佳张长沙(74)专利代理机构福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)35212代理人王牌(51)Int.Cl.H01L21/329(2006.01)H01L29/06(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图3页(54)发明名称一种碳化硅基半导体器件的制备方法(57)摘要本发明提供了一种碳化硅基半导体器件的制备方法，包括：取一碳化硅外延片；在碳化硅外延片表面刻蚀出碳化硅沟槽；在碳化硅外延片上生长一层屏蔽电场介质层；整片刻蚀，只保留侧壁部分，最终形成所需的屏蔽电场介质层；清洗碳化硅外延片，然后淀积肖特基金属，最终形成只在碳化硅沟槽内部的肖特基金属一，快速退火，使肖特基金属一与碳化硅沟槽底部的碳化硅形成肖特基接触；在碳化硅外延片正面涂胶保护，背面淀积金属，与碳化硅外延片形成欧姆接触金属；清洗碳化硅外延片，然后在碳化硅外延片表面淀积肖特基金属，形成肖特基接触金属二，快速退火，与碳化硅外延片表面形成肖特基接触；在反向时，可以有效的屏蔽电场，提高器件的可靠性。CN114361029ACN114361029A权利要求书1/2页1.一种碳化硅基半导体器件的制备方法，其特征在于：包括步骤1、取一碳化硅外延片；在碳化硅外延片表面刻蚀出碳化硅沟槽；步骤2、在碳化硅外延片上生长一层屏蔽电场介质层；整片刻蚀，只保留侧壁部分，最终形成所需的屏蔽电场介质层；步骤3、清洗碳化硅外延片，然后淀积肖特基金属，最终形成只在碳化硅沟槽内部的肖特基金属一，快速退火，使肖特基金属一与碳化硅沟槽底部的碳化硅形成肖特基接触；步骤4、在碳化硅外延片正面涂胶保护，背面淀积金属，与碳化硅外延片形成欧姆接触金属；步骤5、清洗碳化硅外延片，然后在碳化硅外延片的表面淀积肖特基金属，形成肖特基接触金属二，快速退火，与碳化硅外延片表面形成肖特基接触。2.如权利要求1所述的一种碳化硅基半导体器件的制备方法，其特征在于：所述屏蔽电场介质层的厚度为小于0.2微米。3.如权利要求1所述的一种碳化硅基半导体器件的制备方法，其特征在于：所述碳化硅沟槽的深度为0.2至2微米，角度为15°至90°。4.如权利要求1所述的一种碳化硅基半导体器件的制备方法，其特征在于：还包括步骤6、在肖特基接触金属二表面淀积金属，形成正面加厚电极；正面加厚电极涂胶保护，在欧姆接触金属表面进行有机清洗，之后在欧姆接触金属表面淀积金属，形成背面加厚电极；最后进行有机清洗，将之前的胶进行清洗，完成制备。5.一种碳化硅基半导体器件的制备方法，其特征在于：包括步骤1、取一碳化硅外延片，在碳化硅外延片表面刻蚀出碳化硅沟槽；步骤2、在碳化硅外延片的表面生长一层氧化膜，并光刻、刻蚀，形成注入掩膜，在碳化硅沟槽底部形成P区结构，完成P区注入结构后，去除该注入掩膜，并进行标准清洗工艺；步骤3、对碳化硅外延片进行激活退火，激活P区结构；步骤4、在碳化硅外延片上生长一层屏蔽电场介质层，整片刻蚀，只保留侧壁部分，最终形成所需的屏蔽电场介质层；步骤5、将碳化硅外延片进行清洗工艺，然后淀积肖特基金属，并光刻、剥离完成图形转移的工艺，最终形成只在碳化硅沟槽内部的肖特基金属一，快速退火，使肖特基金属一与沟槽底部碳化硅形成肖特基接触；步骤6、在碳化硅外延片正面涂胶保护，背面淀积金属，与碳化硅外延片形成欧姆接触金属；步骤7、再次进行金属淀积前的清洗工艺清洗碳化硅外延片，然后在碳化硅外延片的表面淀积肖特基金属，形成肖特基接触金属二，快速退火，与碳化硅外延片表面形成肖特基接触。6.如权利要求5所述的一种碳化硅基半导体器件的制备方法，其特征在于：所述屏蔽电场介质层的厚度为小于0.2微米。7.如权利要求5所述的一种碳化硅基半导体器件的制备方法，其特征在于：所述碳化硅沟槽的深度为0.2至2微米，角度为15°至90°。8.如权利要求5所述的一种碳化硅基半导体器件的制备方法，其特征在于：还包括步骤8、在肖特基接触金属二表面淀积金属，形成正面加厚电极；正面加厚电极涂胶保护，在欧姆2CN114361029A权利要求书2/2页接触金属表面进行有机清洗，之后在欧姆接触金属表面淀积金属，形成背面加厚电极；最后进行有机清洗，将之前的胶进行清洗，完成制备。3CN114361029A说明书1/4页一种碳化硅基半导体器件的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种碳化硅基半导体器件的制备方法。背