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碳化硅半导体器件及制备方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN113972261A (43)申请公布日2022.01.25 (21)申请号CN202111182922.5 (22)申请日2021.10.11 (71)申请人松山湖材料实验室 地址523000广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋 (72)发明人陈昭铭殷鸿杰罗惠馨夏经华张安平 (74)专利代理机构44224广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人潘宏洲 (51)Int.CI H01L29/06(20060101) H01L29/10(20060101) H01L29/66(20060101) H01L29/78(20060101) 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称 碳化硅半导体器件及制备方法 (57)摘要 本申请涉及一种碳化硅半导体器件 及制备方法，在槽栅介质层的两侧分别设 置两个重掺杂第二导电类型的多晶硅沟槽 区。由于碳化硅和多晶硅的能带结构，多 晶硅沟槽区减少了屏蔽区的耗尽区面积。 耗尽区面积的降低既能降低保护槽栅介质 拐角处的电场强度，又能较少地阻碍电子 流动，从而减低漂移区的电阻。而且第二 导电类型的多晶硅沉积工艺较为简单，本 申请采用重掺杂第二导电类型的多晶硅沟 槽区避免了传统的第二导电类型碳化硅离 子注入工艺带来的深度和横向扩散问题。 法律状态 法律状态公告日法律状态信息法律状态 2022-02-15实质审查的生效实质审查的生效 2022-01-25公开公开 专利申请权的转移IPC(主分 类):H01L29/06专利申请 号:2021111829225登记生效 日:20220323变更事项:申请人变 更前权利人:松山湖材料实验室变 更后权利人:松山湖材料实验室变专利申请权、专利权 2022-04-05 更事项:地址变更前权利的转移 人:523000广东省东莞市松山湖 大学创新城A1栋变更后权利 人:523000广东省东莞市松山湖 大学创新城A1栋变更事项:申请 人变更前权利人:变更后权利人: 东莞理工学院 权利要求说明书 【碳化硅半导体器件及制备方法】的权利说明书内容是......请下载后查看 说明书 【碳化硅半导体器件及制备方法】的说明书内容是......请下载后查看