半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114695271A(43)申请公布日2022.07.01(21)申请号202210316932.1(22)申请日2022.03.28(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人苏星松白卫平肖德元(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师高天华蒋雅洁(51)Int.Cl.H01L21/8242(2006.01)H01L27/108(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图8页(54)发明名称半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器(57)摘要本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该制备方法包括：提供衬底；对衬底进行图案化处理，形成衬底层和多个硅柱；于多个硅柱之间的衬底层表面形成氧化层；于氧化层的上方形成隔离结构，隔离结构的上部与硅柱之间形成有间隙；于间隙中形成第一导电层；去除部分隔离结构，保留第一导电层下方的隔离结构，形成隔离层；于隔离层、氧化层、第一导电层以及硅柱的表面形成介质层和第二导电层。CN114695271ACN114695271A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；对所述衬底进行图案化处理，形成衬底层和多个硅柱；于所述多个硅柱之间的衬底层表面形成氧化层；于所述氧化层的上方形成隔离结构，所述隔离结构的上部与所述硅柱之间形成有间隙；于所述间隙中形成第一导电层；去除部分所述隔离结构，保留所述第一导电层下方的隔离结构，形成隔离层；于所述隔离层、所述氧化层、所述第一导电层以及所述硅柱的表面形成介质层和第二导电层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行图案化处理，形成衬底层和多个硅柱，包括：于所述衬底上方形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层具有沿第一方向延伸的第一图案；以所述第一掩膜层为掩膜，将所述第一图案转移至部分所述衬底；于所述衬底上方形成第二掩膜层；其中，所述第二掩膜层具有沿第二方向延伸的第二图案；以所述第二掩膜层为掩膜，将所述第二图案转移至部分所述衬底，形成所述衬底层和所述多个硅柱。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行图案化处理，形成衬底层和多个硅柱，包括：于所述衬底上方形成第三掩膜层；所述第三掩膜层包括呈阵列排布的多个子掩膜，所述第三掩膜层具有第三图案，所述第三图案由沿第一方向延伸的第一图案和沿第二方向延伸的第二图案组成；以所述第三掩膜层为掩膜，将所述第三图案转移至部分所述衬底，形成所述衬底层和所述多个硅柱。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述多个硅柱之间的衬底层表面形成氧化层，包括：于所述多个硅柱的表面和所述多个硅柱之间的衬底层表面形成初始氧化层；去除位于所述多个硅柱的表面的初始氧化层，保留的所述初始氧化层形成所述氧化层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述氧化层的上方形成隔离结构，包括：于所述氧化层的表面形成第一隔离结构；于所述第一隔离结构上方形成第二隔离结构，所述第二隔离结构与所述硅柱之间形成有间隙，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构组成所述隔离结构。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述于所述氧化层的表面形成第一隔离结构，包括：于所述氧化层和每一个所述硅柱的表面形成初始第一隔离结构；2CN114695271A权利要求书2/2页去除部分所述初始第一隔离结构，保留在所述氧化层表面的所述初始第一隔离结构形成所述第一隔离结构。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述于所述第一隔离结构上方形成第二隔离结构，包括：于所述硅柱的表面形成牺牲层；于所述牺牲层的表面和所述第一隔离结构的上方形成初始第二隔离结构；去除位于所述牺牲层的顶面所在平面上方的所述初始第二隔离结构，保留的所述初始第二隔离结构形成所述第二隔离结构；去除所述牺牲层，以在所述隔离结构和所述硅柱之间形成所述间隙。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除部分所述隔离结构，包括：去除所述第二隔离结构，以及去除位于所述第二隔离结构下方的所述第一隔离结构，保留所述第一导电层下方的所述第一隔离结构。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述牺牲层的方式为热氧化。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述间隙中形成第一导电层，包括：于所述间隙中、所述多个硅柱和所述隔离结构的顶面形成初始第一导电层；去除位于所述硅柱的顶面所在平面上方的初始第一导电层，保留的所述初始第一导电层形成所述第一导电层。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述去除位于所述硅柱的顶面所在平面上方的初始第一导电层时，所述方法还包括：去