半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf
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半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf
本申请实施例公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,该制备方法包括:提供衬底;于衬底上依次形成MTJ结构和第一掩膜结构;对第一掩膜结构进行图案化处理形成沿第一方向延伸的第一图案;于第一图案上方形成第二掩膜结构;对第二掩膜结构进行图案化处理形成沿第二方向延伸的第二图案;其中,第一方向与所述第二方向相交,且第一方向与所述第二方向不垂直;利用第二图案对第一图案进行图案化处理,形成蜂窝状图案;将蜂窝状图案转移至MTJ结构,形成蜂窝状MTJ阵列。这样,由于蜂窝状MTJ阵列具有高密度,从而能够在形成
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf
本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,该制备方法包括:提供衬底;对衬底进行图案化处理,形成衬底层和多个硅柱;于多个硅柱之间的衬底层表面形成氧化层;于氧化层的上方形成隔离结构,隔离结构的上部与硅柱之间形成有间隙;于间隙中形成第一导电层;去除部分隔离结构,保留第一导电层下方的隔离结构,形成隔离层;于隔离层、氧化层、第一导电层以及硅柱的表面形成介质层和第二导电层。
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本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,该方法包括:提供衬底,衬底中形成有至少一个电容柱,且至少一个电容柱贯穿至少一个电容支撑结构;于电容柱和电容支撑结构的表面形成导电层;对电容支撑结构和导电层进行热处理,在电容支撑结构的表面形成电容隔离结构,电容隔离结构用于绝缘隔离至少一个电容柱。这样,通过热处理在电容支撑结构的表面形成电容隔离结构,阻断导电层对电容柱的连接,实现对电容柱的绝缘隔离,本方案不仅工艺过程简单,而且成本较低。
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf
本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,该方法包括:提供衬底;衬底中形成有至少一个第一沟槽;于衬底的表面形成第一材料层,且第一材料层的位于第一沟槽内的部分形成第二沟槽;于第一材料层的表面形成第二材料层,且第二材料层完全填充第二沟槽;其中,第一材料层的刻蚀速率大于第二材料层的刻蚀速率;对第一材料层和第二材料层进行刻蚀处理,得到目标结构。本公开实施例能够减小栅诱导漏极泄漏电流GIDL,有利于提升半导体结构的性能。
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本申请实施例公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,该制备方法包括:提供衬底;于衬底上依次形成MTJ结构和第一掩膜结构;对第一掩膜结构进行图案化处理形成沿第一方向延伸的第一图案;将第一图案转移至MTJ结构;于MTJ结构上方形成第二掩模结构;对第二掩模结构进行图案化处理形成沿第二方向延伸的第二图案;第一方向与第二方向相交,且第一方向与第二方向不垂直;利用第二图案对MTJ结构进行图案化处理,形成蜂窝状MTJ阵列,其中,第一图案与第二图案组成蜂窝状图案。这样,由于蜂窝状MTJ阵列具有高密度,从