半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115988874A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310042083.X(22)申请日2023.01.11(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人钱红云(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师张竞存张颖玲(51)Int.Cl.H10B12/00(2023.01)权利要求书2页说明书11页附图6页(54)发明名称半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器(57)摘要本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该方法包括：提供衬底；衬底中形成有至少一个第一沟槽；于衬底的表面形成第一材料层，且第一材料层的位于第一沟槽内的部分形成第二沟槽；于第一材料层的表面形成第二材料层，且第二材料层完全填充第二沟槽；其中，第一材料层的刻蚀速率大于第二材料层的刻蚀速率；对第一材料层和第二材料层进行刻蚀处理，得到目标结构。本公开实施例能够减小栅诱导漏极泄漏电流GIDL，有利于提升半导体结构的性能。CN115988874ACN115988874A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；所述衬底中形成有至少一个第一沟槽；于所述衬底的表面形成第一材料层，且所述第一材料层的位于所述第一沟槽内的部分形成第二沟槽；于所述第一材料层的表面形成第二材料层，且所述第二材料层完全填充所述第二沟槽；其中，所述第一材料层的刻蚀速率大于所述第二材料层的刻蚀速率；对所述第一材料层和所述第二材料层进行刻蚀处理，得到目标结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：提供初始衬底；于所述初始衬底中形成至少一个初始沟槽；于所述初始衬底的顶部和被所述至少一个初始沟槽暴露的初始衬底的表面形成栅氧化层，且所述栅氧化层的位于所述初始沟槽内的部分形成所述第一沟槽。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述于所述初始衬底中形成至少一个初始沟槽，包括：于所述初始衬底上方形成衬底掩膜层，所述衬底掩膜层具有沿第一方向延伸的图案；以所述衬底掩膜层为掩膜，对所述初始衬底进行图案化处理，形成所述至少一个初始沟槽。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述于所述衬底的表面形成第一材料层，包括：于所述栅氧化层的表面形成所述第一材料层，所述第一材料层覆盖所述栅氧化层的侧面、底面以及顶面。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述于所述栅氧化层的表面形成所述第一材料层，包括：利用第一沉积工艺在所述栅氧化层的表面形成所述第一材料层；所述于所述第一材料层的表面形成第二材料层，包括：利用第二沉积工艺在所述第一材料层的表面形成所述第二材料层；其中，所述第一沉积工艺的沉积温度小于所述第二沉积工艺的沉积温度。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一材料层和所述第二材料层的材料均包括氮化钛。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一沉积工艺的沉积温度为425±10℃，所述第二沉积工艺的沉积温度为475±10℃。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一沉积工艺和所述第二沉积工艺均包括原子层沉积。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述第一材料层和所述第二材料层进行刻蚀处理之前，所述方法还包括：对所述第二材料层进行化学机械研磨处理，使所述第二材料层的顶部平齐。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一材料层和所述第二材料层进行刻蚀处理，得到目标结构，包括：利用干法刻蚀工艺同时对所述第一材料层和所述第二材料层进行刻蚀处理，去除部分2CN115988874A权利要求书2/2页所述第一材料层和部分所述第二材料层，保留的所述第一材料层和保留的所述第二材料层形成所述目标结构，且保留的所述第二材料层的高度大于保留的所述第一材料层的高度。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标结构包括字线结构。12.根据权利要求1至11任一项所述的方法，其特征在于，所述目标结构的顶部呈Ω状。13.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构是根据如权利要求1至12中任一项所述的方法制备形成的，所述半导体结构包括：衬底；所述衬底中形成有至少一个第一沟槽；形成于所述第一沟槽内的第一材料层和第二沟槽；形成于所述第二沟槽内的第二材料层；所述第一材料层和所述第二材料层组成目标结构；其中，所述第一材料层的刻蚀速率大于所述第二材料层的刻蚀速率，所述第一材料层的高度小于所述第二材料层的高度。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括：初始衬底；所述初始衬底中形成有至少一个初始沟槽；形成于所述初始衬