半导体结构制作方法及半导体结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114765132A(43)申请公布日2022.07.19(21)申请号202110033539.7(22)申请日2021.01.11(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人白杰尤康(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师朱颖刘芳(51)Int.Cl.H01L21/8238(2006.01)H01L27/092(2006.01)H01L27/108(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图5页(54)发明名称半导体结构制作方法及半导体结构(57)摘要本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决容易损伤第二区域对应的膜层的问题。该半导体结构制作方法包括：在介质层上形成第一扩散膜层，第一扩散膜层的厚度不小于掺杂层的厚度；在第一扩散膜层上形成硬掩膜；向基底蚀刻第一区域和第二区域对应的各膜层，直至暴露出第一区域对应的第一扩散膜层；之后，去除第二区域对应的介质层上残留的第一金属氧化物层；由于掺杂层的存在，第二区域对应的硬掩膜厚度较小，在暴露第一区域的第一扩散膜层时，第二区域对应的第一扩散膜层刚好被除尽或者残留部分第一扩散膜层，进而避免了第二区域对应膜层的损伤。CN114765132ACN114765132A权利要求书1/2页1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域以及位于所述第一区域外的第二区域；在所述第二区域对应的所述基底上形成掺杂预设金属的掺杂层；在所述第一区域对应的所述基底上、以及所述第二区域对应的所述掺杂层上形成介质层；在所述介质层上形成第一扩散膜层，所述第一扩散膜层包括第一金属氧化物层，所述第一扩散膜层的厚度不小于所述掺杂层的厚度；在所述第一扩散膜层上用旋转涂布法形成硬掩膜；向所述基底蚀刻所述第一区域和所述第二区域对应的各膜层，直至暴露出所述第一区域对应的所述第一扩散膜层；去除所述第二区域对应的所述介质层上残留的所述第一金属氧化物层；在所述第一区域对应的所述第一扩散膜层、以及所述第二区域对应的所述介质层上形成第二扩散膜层，所述第二扩散膜层包括第二金属氧化物层；对所述第一区域和第二区域对应的剩余膜层进行热处理。2.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，向所述基底蚀刻所述第一区域和所述第二区域对应的各膜层，直至暴露出所述第一区域对应的所述第一扩散膜层包括：通过干法蚀刻的方式向所述基底蚀刻所述第一区域和所述第二区域对应的各膜层，直至暴露出所述第一区域内的所述第一扩散膜层。3.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，去除所述第二区域对应的所述介质层上残留的所述第一金属氧化物层包括：通过湿法蚀刻的方式去除所述第二区域对应的所述介质层上残留的所述第一金属氧化层。4.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述介质层上形成第一扩散膜层包括：在所述介质层上依次层叠的形成阻挡层、第一金属氧化物层以及保护层。5.根据权利要求4所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述掺杂层的厚度大于所述第一金属氧化物层的厚度和所述阻挡层的厚度之和。6.根据权利要求5所述的半导体结构制作方法，其特征在于，向所述基底蚀刻所述第一区域和所述第二区域对应的各膜层，直至暴露出所述第一区域对应的所述第一扩散膜层的过程中，去除所述第二区域对应的所述保护层、所述第一金属氧化物层和部分所述阻挡层。7.根据权利要求6所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述第一区域对应的所述第一扩散膜层、以及所述第二区域对应的介质层上形成第二扩散膜层包括：在所述第一区域对应的所述第一扩散膜层、以及所述第二区域对应的剩余所述阻挡层上形成所述第二扩散膜层。8.根据权利要求6所述的半导体结构制作方法，其特征在于，去除所述第二区域对应的所述保护层、所述第一金属氧化物层和部分所述阻挡层后，所述第二区域对应的所述阻挡层厚度为0.1nm‑2nm。9.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，对所述第一区域和所述第2CN114765132A权利要求书2/2页二区域对应的剩余膜层进行热处理包括：进行退火处理，以使所述第一金属氧化层中的第一金属元素扩散至所述第一区域对应的所述介质层内；于此同时，所述第二金属氧化层中的第二金属元素扩散至所述第二区域对应的所述介质层内。10.根据权利要求9所述的半导体结构制作方法，其特征在于，进行退火处理之后还包括：在所述第一区域对应的所述第二扩散膜层上、以及所述第二区域对应的所述第二扩散膜层上形成栅极层。11.根据权利要求9所述的半导体结构制作方法，其特征在于，进行退火处理之后还包括：去除