半导体结构制作方法及半导体结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113725147A(43)申请公布日2021.11.30(21)申请号202111027487.9(22)申请日2021.09.02(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人刘子玄(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人刘丹臧建明(51)Int.Cl.H01L21/762(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图5页(54)发明名称半导体结构制作方法及半导体结构(57)摘要本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本申请实施例用以解决相关技术中盲孔内填充填充材料时容易产生空隙的问题。衬底上具有盲孔；形成覆盖盲孔的孔壁和孔底的阻挡层；在阻挡层上形成钝化层，钝化层的厚度沿孔口到孔底的方向逐渐减小；向盲孔内填充填充材料，钝化层与填充材料反应，以使得填充材料先充满钝化层和孔底之间的盲孔，直至钝化层被耗尽，以形成第一填充部；向盲孔内填充填充材料，直至填充材料充满盲孔。与相关技术中直接向盲孔内填充填充材料相比，使填充材料先充满钝化层和孔底之间的盲孔，从而减小盲孔的孔深，再使填充材料充满盲孔，进而避免盲孔内出现空隙。CN113725147ACN113725147A权利要求书1/2页1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有盲孔；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述盲孔的孔壁和孔底；在所述阻挡层上形成钝化层，所述钝化层的厚度沿孔口到孔底的方向逐渐减小；向所述盲孔内填充填充材料，所述钝化层与所述填充材料反应，以使得所述填充材料先充满所述钝化层和所述孔底之间的所述盲孔，直至所述钝化层被耗尽，以形成第一填充部；向所述盲孔内填充所述填充材料，直至所述填充材料充满所述盲孔。2.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在形成所述第一填充部之后还包括：在所述阻挡层上形成环状的中间钝化层，所述中间钝化层与所述第一填充部之间具有所述预设距离；向所述盲孔内填充所述填充材料，所述中间钝化层与所述填充材料反应，以使得所述填充材料先充满所述中间钝化层和所述第一填充部之间的所述盲孔，直至所述中间钝化层被耗尽，以形成中间填充部。3.根据权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，向所述盲孔内填充所述填充材料，直至所述填充材料充满所述盲孔包括：在中间钝化层被耗尽后，向所述盲孔内填充所述填充材料，直至所述填充材料充满所述盲孔。4.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，形成所述钝化层包括：通入第一工作气体；通过电场分解形成第一反应物和第一副产物，所述第一副产物用于与所述填充材料反应。5.根据权利要求4所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述第一工作气体包括惰性气体和氢气，所述第一反应物包括惰性气体离子，所述第一副产物包括氢离子。6.根据权利要求5所述的半导体结构制作方法，其特征在于，向所述盲孔内填充填充材料，所述钝化层与所述填充材料反应，以使得所述填充材料先充满所述钝化层和所述孔底之间的所述盲孔，直至所述钝化层被耗尽，以形成第一填充部包括：采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述第一填充部。7.根据权利要求6所述的半导体结构制作方法，其特征在于，形成所述第一填充部包括：通入第二工作气体和填充原料，在电场分解的条件下，所述第二工作气体和所述填充原料反应生成所述填充材料，部分所述第二工作气体与所述氢离子反应生成第二副产物。8.根据权利要求7所述的半导体结构制作方法，其特征在于，形成所述第一填充部还包括：排出所述第二副产物。9.根据权利要求7所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述第二工作气体包括氧气，所述填充原料包括正硅酸乙酯，所述填充材料为二氧化硅，所述第二副产物为水。10.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，向所述盲孔内填充所述2CN113725147A权利要求书2/2页填充材料，直至所述填充材料充满所述盲孔包括：采用等离子体增强化学气相沉积工艺填充所述填充材料。11.根据权利要求10所述的半导体结构制作方法，其特征在于，向所述盲孔内填充所述填充材料，直至所述填充材料充满所述盲孔包括：通入第三工作气体和填充原料，在电场分解的条件下，所述第三工作气体和所述填充原料反应生成所述填充材料。12.根据权利要求11所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述第三工作气体包括氧气，所述填充原料包括正硅酸乙酯，所述填充材料为二氧化硅。13.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述阻挡层。14.根据权利要求13所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述阻挡层