半导体结构的制作方法及半导体结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115706053A(43)申请公布日2023.02.17(21)申请号202110926564.8(22)申请日2021.08.12(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人韩欣茹陈洋张仕然(74)专利代理机构北京名华博信知识产权代理有限公司11453专利代理师李冬梅(51)Int.Cl.H01L21/8234(2006.01)H01L27/088(2006.01)H10B12/00(2023.01)权利要求书2页说明书9页附图13页(54)发明名称半导体结构的制作方法及半导体结构(57)摘要本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括提供基底；在基底上形成多个支撑结构，多个支撑结构沿第一方向间隔设置，相邻的支撑结构之间围合成栅极沟槽；在栅极沟槽内形成栅极结构；去除部分支撑结构，被保留下来的支撑结构构成间隔设置的两个隔离侧墙，两个隔离侧墙分别设置在相邻的栅极结构相对的侧壁上，并围合成填充区。本公开通过在栅极结构的两侧设置隔离侧墙，有效控制栅极结构两侧侧壁的形貌，防止栅极结构出现颈缩现象，从而有效提高产品良率和半导体结构的性能。CN115706053ACN115706053A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底；在所述基底上形成多个支撑结构，所述多个支撑结构沿第一方向间隔设置，相邻的所述支撑结构之间围合成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构的顶面与所述支撑结构的顶面平齐；去除部分所述支撑结构，被保留下来的所述支撑结构构成间隔设置的两个隔离侧墙，两个所述隔离侧墙分别设置在相邻的所述栅极结构相对的侧壁上，并围合成填充区。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成多个支撑结构中，包括：在所述基底上形成第一初始牺牲层；去除部分所述第一初始牺牲层，被保留下来的所述第一初始牺牲层构成第一牺牲层，相邻的所述第一牺牲层之间围合成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述基底的顶面；在所述第一凹槽内形成所述支撑结构；去除被保留下来的所述第一牺牲层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：在所述基底上形成介电层；在所述介电层上形成所述第一初始牺牲层。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽内形成所述支撑结构中，包括：在所述第一凹槽的侧壁上形成侧壁保护层，位于所述第一凹槽内的侧壁保护层围合成第二凹槽；在所述第二凹槽的内壁上形成第二初始牺牲层，所述第二初始牺牲层延伸至所述第二凹槽的外部，并覆盖在所述第一牺牲层的顶面上；去除部分所述第二初始牺牲层，暴露出所述第一牺牲层的顶面，被保留下来的所述第二初始牺牲层构成第二牺牲层，其中，所述侧壁保护层构成所述隔离侧墙，所述第二凹槽构成所述填充区，所述第二牺牲层和所述侧壁保护层构成所述支撑结构。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽的侧壁上形成侧壁保护层中，包括：在所述第一凹槽的内壁上形成初始侧壁保护层，所述初始侧壁保护层延伸至所述第一凹槽的外部，并覆盖在所述第一牺牲层的顶面上；去除所述第一凹槽底部和所述第一牺牲层顶面的所述初始侧壁保护层，被保留下来的所述初始侧壁保护层构成所述侧壁保护层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽的侧壁上形成侧壁保护层，位于所述第一凹槽内的所述侧壁保护层围合成第二凹槽中，包括:在所述第二凹槽的底部进行第一次离子注入，以在所述基底内形成轻掺杂区，其中，所述第二凹槽的侧壁上相对的所述侧壁保护层之间的间隙界定所述轻掺杂区的形成轮廓。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：2CN115706053A权利要求书2/2页在所述第二凹槽的内壁上形成第一氧化层，位于所述第二凹槽内的所述第一氧化层围合成第三凹槽；在所述第三凹槽内形成第二初始氧化层，所述第二初始氧化层延伸至所述第三凹槽的外部，并覆盖在所述第一牺牲层的顶面上，其中，所述第一氧化层和所述第二初始氧化层构成所述第二初始牺牲层。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第二凹槽的内壁上形成第一氧化层中，包括：在所述第二凹槽的内壁形成第一初始氧化层，所述第一初始氧化层延伸至所述第二凹槽的外部，并覆盖在所述第一牺牲层和所述侧壁保护层的顶面上；去除所述第二凹槽底部、以及所述第一牺牲层和所述侧壁保护层顶部的所述第一初始氧化层，被保留下来的所述第一初始氧化