太阳电池及其制备方法、光伏系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114792743A(43)申请公布日2022.07.26(21)申请号202210479616.6(22)申请日2022.05.05(71)申请人通威太阳能（眉山）有限公司地址620010四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号(72)发明人范建彬孟夏杰邢国强(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师周孝湖(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/068(2012.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称太阳电池及其制备方法、光伏系统(57)摘要本发明提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏系统，其中制备方法包括如下步骤：提供硅片衬底，硅片衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在硅片衬底的第一表面上依次沉积形成氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩膜层；对硅片衬底进行退火处理，以使掺杂非晶硅膜层转化为掺杂多晶硅膜层；采用激光对第一表面进行图案化处理，以破坏或去除预设区域的氧化硅掩膜层和掺杂多晶硅膜层，并保留全部或部分氧化层，从而形成图案化区域。本发明的制备方法在对硅片衬底的正面进行制绒时，能够有效地避免硅片衬底的背面图案化区域对应的第一表面也被制绒，提高太阳电池的开路电压和电池效率。CN114792743ACN114792743A权利要求书1/1页1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供硅片衬底，所述硅片衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述硅片衬底的所述第一表面上依次层叠形成氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩膜层；对所述硅片衬底进行退火处理，以使所述掺杂非晶硅膜层转化为掺杂多晶硅膜层；及采用激光对所述第一表面进行图案化处理，以破坏或去除预设区域的所述氧化硅掩膜层和所述掺杂多晶硅膜层，并保留全部或部分所述氧化层，从而形成图案化区域。2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述激光为皮秒脉冲激光。3.根据权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述皮秒脉冲激光的波长为355nm或532nm，所述皮秒脉冲激光的脉冲宽度为1ps～100ps。4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氧化硅掩膜层通过气相沉积或者退火热氧化形成。5.根据权利要求1至4任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在形成所述图案化区域之后，所述制备方法还包括如下步骤：利用制绒药液对所述硅片衬底进行浸泡处理，以去除所述图案化区域内的所述氧化层以及剩余的所述氧化硅掩膜层和所述掺杂多晶硅膜层，并使所述第二表面形成绒面。6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制绒药液为含有制绒添加剂的碱溶液，所述浸泡处理的温度为30℃～80℃，所述浸泡处理的时间为300s～600s。7.根据权利要求6所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在利用制绒药液对所述硅片衬底进行浸泡处理之后，所述制备方法还包括如下步骤：在所述硅片衬底的所述第一表面上和所述第二表面上分别沉积钝化膜层；及在所述第一表面上和所述第二表面上的所述钝化膜层上分别沉积减反射膜层。8.根据权利要求7所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在沉积形成所述减反射膜层之后，所述制备方法还包括如下步骤：利用激光对所述第一表面上的所述图案化区域进行图案化开孔，去除开孔处的所述钝化膜层和所述减反射膜层以形成电极接触区；及在所述电极接触区内和所述掺杂多晶硅膜层内注入电极浆料，分别形成第一电极和第二电极。9.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池通过权利要求1至8任一项所述的制备方法制备得到。10.一种光伏系统，其特征在于，所述光伏系统中包括权利要求9所述的太阳电池。2CN114792743A说明书1/7页太阳电池及其制备方法、光伏系统技术领域[0001]本发明涉及太阳电池生产技术领域，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏系统。背景技术[0002]背接触电池，即backcontact电池，其中指状交叉背接触太阳电池又称为IBC(Interdigitatedbackcontact)电池。IBC电池最大的特点是PN结区或类PN结区以及金属电极都处于电池的背面，电池正面没有金属电极遮挡的影响。[0003]由于IBC电池的上述结构特点，使得其具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高了填充因子FF，并且，这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去也更加美观。因此，IBC电池已成为目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。[0004]背接触电池在制绒时需要同时实现硅片衬底正面的制绒以及背面图案化区域的刻蚀。在图案化区域所对应的硅片衬底背面区域，只需要在制绒时通过制绒药液将该区域的隧