OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114824150A(43)申请公布日2022.07.29(21)申请号202210347409.5(22)申请日2022.04.01(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人匡友元(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师林劲松(51)Int.Cl.H01L51/56(2006.01)H01L51/52(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法(57)摘要本申请提供一种OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法，涉及了显示技术领域，解决了采用激光打孔方式去除电致发光层时会存在膜层残留，导致接触不良的问题，方法包括提供一基板；在基板上依次形成阳极层、辅助电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；去除辅助电极层所在区域上方的所有膜层，并形成通孔；向通孔内导入导电粒子，并在通孔的底部形成微导电层；在电子注入层上以及通孔与微导电层所构成的空间内形成阴极层，阴极层通过微导电层与辅助电极层电性连接。本申请在通孔的底部形成微导电层，阴极层与辅助电极层良好接触而导通，解决了显示面板压降仍较大问题，进而改善OLED显示面板的显示不均。CN114824150ACN114824150A权利要求书1/1页1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一已形成有像素阵列的基板；在基板上依次形成阳极层、辅助电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；去除所述辅助电极层所在区域上方的所有膜层，并形成通孔；向所述通孔内导入导电粒子，并在所述通孔的底部形成微导电层；在所述电子注入层上以及所述通孔与所述微导电层所构成的空间内形成阴极层，所述阴极层通过微导电层与所述辅助电极层电性连接。2.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述向所述通孔内导入导电粒子，并在所述通孔的底部形成微导电层之前，所述方法包括：在所述电子注入层上方采用光罩对除所述通孔所在区域的其他区域进行遮挡，暴露出所述通孔。3.如权利要求2所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述通孔内导入导电粒子，并在所述通孔的底部形成微导电层，包括：通过溅射方式或者真空蒸镀方式在所述通孔内导入导电粒子，并在所述通孔的底部形成微导电层。4.如权利要求3所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述微导电层的厚度为所述通孔的深度的1/10～3/10。5.如权利要求4所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述导电粒子包括铝粒子、银粒子、镁粒子或者其中任意两者构成的合金粒子。6.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述去除所述辅助电极层所在区域上方的所有膜层，并形成通孔，包括：采用激光打孔方式去除所述辅助电极层所在区域上方的所有膜层，并形成所述通孔。7.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述在基板上依次形成阳极层、辅助电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，包括：采用喷墨打印方式依次形成空穴注入层、空穴传输层和发光层。8.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述在基板上依次形成阳极层、辅助电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，包括：采用真空蒸镀方式依次形成电子传输层和电子注入层。9.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板采用的是如权利要求1至权利要求8所述的OLED显示面板的制备方法制成。10.一种OLED显示屏，其特征在于，所述OLED显示屏采用的是如权利要求9所述的OLED显示面板。2CN114824150A说明书1/5页OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法。背景技术[0002]平板显示产业作为电子信息产业的支柱产业之一，凭借其巨大的经济效应与产业集聚效应，对一个国家和地区技术、经济的发展至关重要。虽然薄膜晶体管液晶显示器(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT‑LCD)的液晶显示技术占据了当今显示主流，但是有机发光二极管(Active‑matrixorganiclight‑emittingdiode，AMOLED)技术目前最有可能取代TFT‑LCD技术成为下一代新型显示技术。[0003]在大尺寸OLED面板制造中，目前主流方法有是采用真空蒸镀或者IJP(InkJetP