OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113327961A(43)申请公布日2021.08.31(21)申请号202110557958.0(22)申请日2021.05.21(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司(72)发明人袁涛黄金昌(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人唐秀萍(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置(57)摘要本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置。所述OLED显示面板包括第一显示区和位于第一显示区内的第二显示区，所述OLED显示面板还包括衬底基板、位于衬底基板之上的TFT阵列层、位于TFT阵列层之上的多个发光子像素以及位于多个发光子像素之上的共通层；其中，位于第二显示区的多个发光子像素之间设有至少一个盲孔，所述盲孔贯穿TFT阵列层，且所述盲孔内至少部分填充有机层。本发明通过在第二显示区的多个发光子像素之间设置至少一个盲孔，所述盲孔贯穿TFT阵列层，且所述盲孔内至少部分填充有机层，有机层与TFT阵列层相比，透过率更高，使用有机层取代TFT阵列层，可以提高第二显示区的透过率，从而可以提高摄像头的采光效果。CN113327961ACN113327961A权利要求书1/1页1.一种OLED显示面板，包括第一显示区和位于所述第一显示区内的第二显示区，其特征在于，所述OLED显示面板还包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的TFT阵列层、位于所述TFT阵列层之上的多个发光子像素以及位于所述多个发光子像素之上的共通层；其中，位于所述第二显示区的多个所述发光子像素之间设有至少一个盲孔，所述盲孔贯穿所述TFT阵列层，且所述盲孔内至少部分填充有机层。2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述盲孔的底部位于所述衬底基板靠近所述TFT阵列层的一侧表面。3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括位于所述TFT阵列层和所述多个发光子像素之间的平坦化层、位于所述平坦化层和所述多个发光子像素之间的像素电极层以及位于所述平坦化层和所述像素电极层之上的像素定义层。4.如权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述盲孔贯穿所述平坦化层和所述像素定义层。5.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，对应于所述盲孔区域的所述共通层位于所述盲孔的底部，所述有机层位于所述共通层之上。6.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述盲孔的横截面形状为圆形、圆角矩形、矩形、椭圆形中的一种或多种。7.一种OLED显示面板的制备方法，所述OLED显示面板包括第一显示区和位于所述第一显示区内的第二显示区，其特征在于，所述制备方法包括步骤：S1、提供一衬底基板；S2、在所述衬底基板之上制备TFT阵列层；S3、在所述TFT阵列层之上且对应于所述第二显示区的非像素区制备至少一个盲孔，所述盲孔贯穿所述TFT阵列层；S4、在所述TFT阵列层之上且对应于像素区制备多个发光子像素；S5、在所述多个发光子像素之上制备共通层，且所述盲孔内至少部分填充有机层。8.如权利要求7所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2和所述步骤S3之间还包括：在所述TFT阵列层之上制备平坦化层；在所述平坦化层之上制备像素电极层；在所述平坦化层和所述像素电极层之上制备像素定义层，所述像素定义层用于定义所述像素区。9.如权利要求8所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述盲孔贯穿所述像素定义层、所述平坦化层以及所述TFT阵列层；对应于所述盲孔区域的所述共通层位于所述盲孔的底部；所述有机层填充于对应所述盲孔区域的所述共通层之上。10.一种OLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的OLED显示面板以及位于所述OLED显示面板之下且对应于第二显示区设置的光学器件。2CN113327961A说明书1/5页OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置。背景技术[0002]随着显示技术的不断进步，各种显示设备正向更大屏占比的方向发展。为了提高显示面板的屏占比，很多厂家在屏幕顶端设置槽口，用于放置通话模块和摄像头模块，然而此类设计仍占用了相当大的显示区域，与真正的全面屏的设想仍相差较大。[0003]随后出现了挖孔屏，通过将显示面板进行打孔处理，将摄像头设置在孔内，进一步提高了屏占比。[0004]为了实现真正