一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114864680A(43)申请公布日2022.08.05(21)申请号202210552550.9(22)申请日2022.05.19(71)申请人捷捷微电(南通)科技有限公司地址226000江苏省南通市崇川区苏锡通科技产业园区井冈山路1号(72)发明人王友伟徐雷军王成森(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师任燕妮(51)Int.Cl.H01L29/423(2006.01)H01L29/06(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图18页(54)发明名称一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法(57)摘要本申请提供了一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，再基于沟槽生长场板氧化层，然后对沟槽进行多晶填充，直至填充的多晶高于外延片的台面，再对多晶平坦化后刻蚀沟槽内部分多晶与场板氧化层，以在沟槽内形成第一多晶层，然后沿沟槽内壁生长缓冲氧化层，沿缓冲氧化层的表面沉积HighK材料层，然后基于HighK材料层的表面进行多晶填充，再对沟槽内的多晶进行刻蚀，并保留HighK材料层表面的多晶，最后将HighK材料层表面的多晶氧化，并沿沟槽沉积多晶，以形成第二多晶层。本申请具有器件应力小、电容效应低的优点。CN114864680ACN114864680A权利要求书1/2页1.一种屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一外延片，其中，所述外延片包括沟槽；基于所述沟槽生长场板氧化层；对所述沟槽进行多晶填充，直至填充的多晶高于所述外延片的台面；对多晶平坦化后刻蚀沟槽内部分多晶与场板氧化层，以在所述沟槽内形成第一多晶层；沿沟槽内壁生长缓冲氧化层；沿所述缓冲氧化层的表面沉积HighK材料层；基于所述HighK材料层的表面进行多晶填充；对沟槽内的多晶进行刻蚀，并保留HighK材料层表面的多晶；将所述HighK材料层表面的多晶氧化，并沿沟槽沉积多晶，以形成第二多晶层。2.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，在将所述HighK材料层表面的多晶氧化的步骤之后，所述方法还包括：去除外延层台面与沟槽侧壁的HighK材料层，并保留位于所述第一多晶层表面的HighK材料层；去除外沟槽侧壁与所述外延片台面的缓冲氧化层后生长栅氧层；基于所述沟槽沉积多晶，以在所述沟槽内形成第二多晶层。3.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述对沟槽内的多晶进行刻蚀，并保留HighK材料层表面的多晶的步骤包括：对沟槽内的多晶进行刻蚀，并保留HighK材料层表面的500～3000埃的多晶。4.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，沿所述缓冲氧化层的表面沉积HighK材料层的步骤包括：沿所述缓冲氧化层的表面沉积氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪以及氧化钛中的至少一种材料层。5.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，沿沟槽内壁生长缓冲氧化层的步骤包括：沿沟槽内壁生长50～2000埃的缓冲氧化层。6.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述提供一外延片的步骤包括：提供一衬底；基于所述衬底的表面生长外延层；基于所述外延层制作沟槽。7.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，对多晶平坦化后刻蚀沟槽内部分多晶与场板氧化层的步骤包括：去除高于所述外延片台面的多晶，以使沟槽内的多晶与所述外延片的台面齐平；将沟槽内的部分多晶去除，以在所述沟槽内剩余第一多晶层；去除外延片台面与部分沟槽侧壁的场板氧化层，并保留与所述第一多晶层连接的场板氧化层。8.一种屏蔽栅沟槽器件，其特征在于，所述器件包括：2CN114864680A权利要求书2/2页设置有沟槽的外延片；位于所述沟槽内第一多晶层与第二多晶层，其中，所述第一多晶层位于所述第二多晶层的下方，且所述第一多晶层与所述第二多晶层通过缓冲氧化层、HighK材料层以及多晶氧化层隔离；位于所述第一多晶层与外延片之间的第一氧化层；位于所述第二多晶层与外延片之间的第二氧化层。9.如权利要求8所述的屏蔽栅沟槽器件，其特征在于，所述第二氧化层为缓冲氧化层，所述器件还包括位于所述第二多晶层与所述缓冲氧化层之间的HighK材料层；或所述第二氧化层为栅极氧化层。10.如权利要求8所述的屏蔽栅沟槽器件，其特征在于，所述多晶氧化层的厚度为500～3000埃。3CN114864680A说明书1/8页一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法。背景技术[0002]SGT(Shielded