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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115242325A(43)申请公布日2022.10.25(21)申请号202211147098.4(22)申请日2022.09.21(71)申请人北京智联安科技有限公司地址100080北京市海淀区北四环西路9号楼8层808(72)发明人石勤坡吕悦川钱炜(74)专利代理机构北京名华博信知识产权代理有限公司11453专利代理师邵淑双(51)Int.Cl.H04B17/21(2015.01)H04B1/30(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图2页(54)发明名称DCOC校准方法、装置及存储介质(57)摘要本公开是关于一种DCOC校准方法、装置及存储介质。DCOC校准方法包括:在预设支路输出极性为第一预设值,同相端寄存器配置值和反相端寄存器配置值均为第一预设配置值时,获取对应的第一寄存器残留参数;在预设支路输出极性为第一预设值,同相端寄存器配置值和反相端寄存器配置值均为第二预设配置值时,获取对应的第二寄存器残留参数;根据第一寄存器残留参数和第二寄存器残留参数,确定预设校准规则,并使用预设校准规则进行DCOC校准。使用本公开中的DCOC校准方法,能够在极短的时间内完成直流失调消除,使得零中频接收机可以在开机时实时进行DCOC校准,且对零中频接收机的开机启动时间影响极小。CN115242325ACN115242325A权利要求书1/3页1.一种DCOC校准方法,其特征在于,所述方法包括:在预设支路输出极性为第一预设值,同相端寄存器配置值和反相端寄存器配置值均为第一预设配置值时,获取对应的第一寄存器残留参数;在所述预设支路输出极性为所述第一预设值,所述同相端寄存器配置值和所述反相端寄存器配置值均为第二预设配置值时,获取对应的第二寄存器残留参数;根据所述第一寄存器残留参数和所述第二寄存器残留参数,确定预设校准规则,并使用所述预设校准规则进行DCOC校准。2.根据权利要求1所述的DCOC校准方法,其特征在于,所述根据所述第一寄存器残留参数和所述第二寄存器残留参数,确定预设校准规则,包括:若所述第一寄存器残留参数小于第一预设阈值且所述第二寄存器残留参数大于或等于残留饱和阈值,确定所述预设校准规则为第一校准规则;若所述第一寄存器残留参数大于所述第一预设阈值,根据第三寄存器残留参数和第四寄存器残留参数,确定所述预设校准规则;其中,所述第三寄存器残留参数为所述预设支路输出极性为第二预设值,所述同相端寄存器配置值和所述反相端寄存器配置值均为所述第一预设配置值时,对应的寄存器残留参数,所述第四寄存器残留参数为所述预设支路输出极性为所述第二预设值,所述同相端寄存器配置值和所述反相端寄存器配置值均为所述第二预设配置值时,对应的寄存器残留参数。3.根据权利要求2所述的DCOC校准方法,其特征在于,所述根据第三寄存器残留参数和第四寄存器残留参数,确定所述预设校准规则,包括:若所述第三寄存器残留参数小于所述第一预设阈值,确定所述预设校准规则为第二校准规则;若所述第三寄存器残留参数大于所述第一预设阈值,并且所述第四寄存器残留参数小于或等于所述残留饱和阈值的相反数,确定所述预设校准规则为所述第一校准规则。4.根据权利要求3所述的DCOC校准方法,其特征在于,所述第二校准规则包括:确定所述第一寄存器残留参数的绝对值和所述第三寄存器残留参数的绝对值;将绝对值小的寄存器残留参数对应的所述输出极性、所述同相端寄存器配置值和所述反相端寄存器配置值确定为所述预设支路校准后的参数。5.根据权利要求2所述的DCOC校准方法,其特征在于,所述第一校准规则包括:将所述同相端寄存器配置值为所述第一预设配置值,所述反相端寄存器配置值为所述第一预设配置值,所述寄存器残留参数为所述第一寄存器残留参数,确定为第一初始参数组;将所述同相端寄存器配置值为所述第二预设配置值,所述反相端寄存器配置值为所述第二预设配置值,所述寄存器残留参数为所述第二寄存器残留参数,确定为第二初始参数组;采用二分法遍历所述同相端寄存器配置值和所述反相端寄存器配置值,迭代更新所述第一初始参数组和所述第二初始参数组,获得第一目标参数组和第二目标参数组,所述第一目标参数组中的所述同相端寄存器配置值或所述反相端寄存器配置值与所述第二目标参数组中的对应参数的差值为1;2CN115242325A权利要求书2/3页根据所述第一目标参数组和所述第二目标参数组,确定校准结果。6.根据权利要求5所述的DCOC校准方法,其特征在于,所述根据所述第一目标参数组和所述第二目标参数组,确定校准结果,包括:在所述同相端寄存器配置值为所述第一目标参数组中的同相端寄存器配置值,所述反相端寄存器配置值为所述第二目标参数组中的反相端寄存器配置值时,获取对应的目标寄存器残留参数;将所述同相