透明导电性薄膜.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115315758A(43)申请公布日2022.11.08(21)申请号202180021801.4(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事(22)申请日2021.03.18务所(普通合伙)11277专利代理师刘新宇李茂家(30)优先权数据2020-0498642020.03.19JP(51)Int.Cl.2020-0748532020.04.20JPH01B5/14(2006.01)2020-0748542020.04.20JPB32B9/04(2006.01)2020-1348322020.08.07JPB32B9/00(2006.01)2020-1348332020.08.07JPH01L31/0224(2006.01)2020-1402412020.08.21JPH01B5/16(2006.01)2020-2004212020.12.02JPH01B13/00(2006.01)2020-2004222020.12.02JPC23C14/08(2006.01)C23C14/20(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C23C14/34(2006.01)2022.09.16H01Q1/38(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01Q1/52(2006.01)PCT/JP2021/0111522021.03.18H05K9/00(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据B32B7/00(2019.01)WO2021/187577JA2021.09.23B32B7/022(2019.01)B32B7/023(2019.01)(71)申请人日东电工株式会社B32B7/025(2019.01)地址日本大阪府G02F1/1333(2006.01)(72)发明人藤野望鸦田泰介G02F1/1343(2006.01)G06F3/041(2006.01)权利要求书1页说明书18页附图3页(54)发明名称透明导电性薄膜(57)摘要本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备树脂薄膜(11)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)在与厚度方向(D)正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与厚度方向(D)和面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力。第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。CN115315758ACN115315758A权利要求书1/1页1.一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明树脂基材和透光性导电层，所述透光性导电层在与所述厚度方向正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与所述厚度方向和所述面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比所述第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力，所述第二压缩残留应力相对于所述第一压缩残留应力的比率为0.82以下。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层含有氪。3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明树脂基材不与玻璃基材邻接。4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层具有小于2.2×10‑4Ω·cm的电阻率。5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层具有100nm以上的厚度。2CN115315758A说明书1/18页透明导电性薄膜技术领域[0001]本发明涉及透明导电性薄膜。背景技术[0002]以往，沿着厚度方向依次具备透明的基材薄膜和透明的导电层(透光性导电层)的透明导电性薄膜是已知的。透光性导电层被用作例如用于对液晶显示器、触摸面板和光传感器等各种设备中的透明电极进行图案形成的导体膜。另外，透光性导电层有时也被用作设备所具备的抗静电层。透光性导电层通过例如利用溅射法在树脂制的基材薄膜上将导电性氧化物成膜来形成。在该溅射法中，以往作为用于撞击靶(成膜材料供给材料)而使靶表面的原子弹出的溅射气体，使用氩气等非活性气体。关于这种透明导电性薄膜的相关技术，在例如下述专利文献1中有所记载。[0003]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1：日本特开平5‑334924号公报发明内容[0006]发明要解决的问题[0007]在透明导电性薄膜的制造过程中，有时采用在基材薄膜上形成非晶质的透光性导电层后，将该透光性导电层加热而使其转化为结晶质的方法。在该情况下，结晶化工艺的加热温度越高，则形成的结晶质透光性导电层的电阻值容易变得越小。[0008]另一方面，透明导电性薄膜具备树脂制基材薄膜，因此，若结晶化工艺中的加热温度过高，则会因树脂制基材薄膜的尺寸变化等而发生各种不良情况(例如透光性导电层的碎裂)。若为了避免这种不良