透明导电性薄膜.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115335924A(43)申请公布日2022.11.11(21)申请号202180022337.0(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事(22)申请日2021.03.18务所(普通合伙)11277专利代理师刘新宇李茂家(30)优先权数据2020-0498642020.03.19JP(51)Int.Cl.2020-0748532020.04.20JPH01B5/14(2006.01)2020-0748542020.04.20JPB32B9/00(2006.01)2020-1348322020.08.07JPB32B9/04(2006.01)2020-1348332020.08.07JPH01L31/0224(2006.01)2020-1402382020.08.21JPH01B1/08(2006.01)2020-1402392020.08.21JPH01B1/20(2006.01)2020-1402402020.08.21JPH01B5/16(2006.01)H01B13/00(2006.01)2020-1402412020.08.21JP2020-1494742020.09.04JPC23C14/08(2006.01)2020-1813492020.10.29JPC23C14/20(2006.01)2020-2004212020.12.02JPC23C14/34(2006.01)2020-2004222020.12.02JPH01Q1/38(2006.01)H01Q1/52(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H05K9/00(2006.01)2022.09.19B32B7/00(2019.01)(86)PCT国际申请的申请数据B32B7/022(2019.01)PCT/JP2021/0111632021.03.18B32B7/023(2019.01)(87)PCT国际申请的公布数据B32B7/025(2019.01)WO2021/187586JA2021.09.23B32B7/028(2019.01)G02F1/1333(2006.01)(71)申请人日东电工株式会社G02F1/1343(2006.01)地址日本大阪府G06F3/041(2006.01)(72)发明人碓井圭太权利要求书1页说明书14页附图3页(54)发明名称透明导电性薄膜(57)摘要本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)在与厚度方向(T)正交的面内方向上具有压缩残留应力最大的第一方向和与该第一方向正交的第二方向。透明导电层(20)的第二方向的第二压缩残留应力相对于第一方向的第一压缩残留应力的比率为0.82以上。CN115335924ACN115335924A权利要求书1/1页1.一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明树脂基材和透明导电层，所述透明导电层在与所述厚度方向正交的面内方向上具有压缩残留应力最大的第一方向和与该第一方向正交的第二方向，所述透明导电层的所述第二方向的第二压缩残留应力相对于所述第一方向的第一压缩残留应力的比率为0.82以上。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层含有氪。3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层含有含铟的导电性氧化物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层具有小于2.2×10‑4Ω·cm的电阻率。2CN115335924A说明书1/14页透明导电性薄膜技术领域[0001]本发明涉及透明导电性薄膜。背景技术[0002]以往，已知有沿着厚度方向依次具备透明的基材薄膜和透明的导电层(透明导电层)的透明导电性薄膜。透明导电层被用作例如用于对液晶显示器、触摸面板和光传感器等各种设备中的透明电极进行图案形成的导体膜。在透明导电层的形成过程中，例如，首先利用溅射法在基材薄膜上形成透明导电材料的非晶质膜(成膜工序)。接着，通过加热而使基材薄膜上的非晶质的透明导电层发生结晶化(结晶化工序)。关于这种透明导电性薄膜的相关技术，例如记载在下述专利文献1中。[0003]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1：日本特开2017‑71850号公报发明内容[0006]发明要解决的问题[0007]在历经结晶化工序后的透明导电性薄膜的各处产生残留应力。在这样的透明导电性薄膜中，例如会发生翘曲以使得残留应力得以释放。这种翘曲的发生对于例如以良好的精度实施设备制造过程中的透明导电性薄膜的装配而言并不优选。[0008]本发明提供适合于抑制翘曲的透明导电性薄膜。[0009]用于解决问题的方案[0010]