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半导体元件的制造方法以及半导体装置.pdf
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梦影****主a
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半导体元件的制造方法以及半导体装置.pdf
半导体元件的制造方法包含如下工序：在基板(11)的表面(11a)上具有开口(22)，在开口(22)的周围上表面区域留下高低差(23)地设置掩模(21)；使半导体从自开口(22)露出的表面(11a)外延生长到周围上表面区域上，制作具有半导体层(31)的半导体元件，该半导体层(31)具有转印有高低差(23)的第一面；和对与掩模(21)相接的半导体层(31)的第一面进行干式蚀刻，来转印高低差(23)。掩模(21)包含成为半导体层(31)中的供体或受体的元素。
2023-11-05
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本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。
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本发明提供一种晶片切割装置以及半导体元件的制造方法，不仅能抑制切削液的消耗，而且在使切割休止状态的旋转刀成为切割状态时，能够抑制切割位置的偏移。当第一切割单元处于切割状态且第二切割单元处于切割休止状态时，在由计数部件（34）计算出的剩余切割次数达到预定次数以前，控制部（84）使切削液停止从构成第二喷出单元（64）的各喷出管喷出，在剩余切割次数达到预定次数之后，控制部（84）使切削液从第二喷出单元（64）喷出。在使用第二切割单元切割半导体晶片时，由于刀片（56）的温度在预先确定的范围内，因此不仅能够抑制切削
2024-01-03
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2023-05-26
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半导体装置以及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括具有引线的衬底，引线包括引线端子、引线阶梯和引线偏移件，引线偏移件在引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯驻留在不同平面上。第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧，且包括第一电子组件第一侧和与第一电子组件第一侧相对的第一电子组件第二侧。第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧，且包括第二电子组件第一侧和与第二电子组件第一侧相对的第二电子组件第二侧。密封物密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分。引线端子从密封物的第一侧暴露。
2023-11-05
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