一种铝盘芯片治具.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115602584A(43)申请公布日2023.01.13(21)申请号202211259421.7(22)申请日2022.10.14(71)申请人安徽光智科技有限公司地址239064安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号(72)发明人陈国雪李兆营姚浩强李海涛梁靖(74)专利代理机构北京天盾知识产权代理有限公司11421专利代理师肖小龙(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)C25D11/08(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种铝盘芯片治具(57)摘要本发明提供了一种铝盘芯片治具，包括多个放置芯片的槽位，且每个芯片槽位对称设置有取片口，方便用镊子夹取芯片。本发明提供的芯片治具且可根据承载芯片的厚度而在铝盘上开出较深的槽位，方便承载芯片，且传输过程中芯片不易发生掉落、移位等。另外，本发明中使用铝制作的芯片治具，经过承载芯片到工艺腔内完成牺牲层释放工艺后，铝盘治具仍然不变形、能够维持良好的形貌特征，可以多次使用。最重要的是，铝盘治具在承载芯片到工艺腔内完成牺牲层释放的工艺后，牺牲层释放干净无残留，具有优异的工艺性能。CN115602584ACN115602584A权利要求书1/1页1.一种铝盘芯片治具，其特征在于，包括多个放置芯片的槽位，每个槽位的形状为四边形，且所述四边形的左、右两边分别设置有一个取片口，两个所述取片口对称设置，用于将芯片从槽位取出。2.如权利要求1所述的一种铝盘芯片治具，其特征在于，所述治具的边缘厚度小于治具整体的厚度。3.如权利要求1所述的一种铝盘芯片治具，其特征在于，所述治具还包括一定位缺口。4.如权利要求1所述的一种铝盘芯片治具，其特征在于，对所述铝盘芯片治具通过硬度氧化工艺进行处理。5.如权利要求4所述的一种铝盘芯片治具，其特征在于，所述硬度氧化工艺包括：步骤1，将所述铝盘芯片治具放置于氧化槽中，氧化槽内盛有硫酸与水的电解液，其中硫酸的浓度为200~300g/L，在温度为0.5~5摄氏度，槽端电压为40~90V，以及空气搅拌的条件下，对所述铝盘芯片治具氧化2~2.5小时；步骤2，将所述铝盘芯片治具置于盛有硫酸浓度为150g/L的电解液的氧化槽中，在温度为20~25摄氏度，槽端电压为25~60V，以及空气搅拌的条件下，对所述铝盘芯片治具氧化2小时；步骤3，将所述铝盘芯片治具置于盛有硫酸浓度为100g/L的电解液的氧化槽中，在温度下，对所述铝盘芯片治具氧化2为25~100摄氏度，槽端电压为40~120V，以及空气搅拌的条件小时。2CN115602584A说明书1/4页一种铝盘芯片治具技术领域[0001]本发明涉及一种芯片治具，具体为一种在非制冷焦平面探测器去除牺牲层工艺过程中使用的芯片治具。背景技术[0002]非制冷焦平面探测器有混成式和单片式共两种结构形式。混成式结构有独立的敏感元阵列和读出电路，两部分通过铟柱倒装互联的方法互联而成。单片式结构则直接在读出电路上制作敏感元阵列，具体为依次在读出电路上制备牺牲层、支撑层及光敏元，然后去除牺牲层，通过支撑层把光敏元悬空起来实现热隔离。单片式结构具有成本低、性能高的潜在优势，因此非制冷单片式焦平面探测器近年来备受关注。[0003]在单片式结构制作过程中，牺牲层是最终要被去除的物质，牺牲层释放设备由传送系统、真空系统、加热系统组成。牺牲层的释放目前有两种工艺方式。第一种为晶圆加工释放，适用于晶圆级封装。第二种为将晶圆划裂成单颗芯片释放，单颗芯片释放适用于金属管壳封装。晶圆划裂成单颗芯片释放的工艺中，由于划裂后的芯粒体积小，无法通过传送系统取放片，手动取放芯粒的方式也难以实现，因此需借助加工治具来对芯粒进行传输。现有技术均采用硅衬底制作的治具来对芯粒进行传输，由于硅衬底厚度不足1mm，导致其挖孔深度浅，芯粒放置于其孔中，机械手臂带动硅衬底在传送、旋转的过程中，易造成芯粒掉落、移位等问题，导致芯片报废。另外，使用硅衬底还容易导致单片式结构在制备过程中存在牺牲层残留的问题，附图1为使用传统的硅衬底治具传输芯片，且放入工艺腔室内进行牺牲层释放工艺后的SEM切片图，由图中可知，芯片牺牲层释放不干净，底部残留，容易影响芯片的性能。发明内容[0004]针对现有工艺存在的上述问题，本发明提供一种芯片治具，该芯片治具的载盘工艺性能好，传送稳定，不易变形。具体技术方案如下。[0005]一种铝盘芯片治具，包括多个放置芯片的槽位，每个槽位的形状为四边形，且所述四边形的左、右两边分别设置有一个取片口，两个所述取片口对称设置，用于将芯片从槽位取出。[0006]优选的，所述治具的边缘厚度小于治具整体的厚度。[0007]优选的，所述治具还包括一定位缺口。[0008]优选的，对所