在集成电路制造期间蚀刻铜的方法.pdf
一吃****继勇
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在集成电路制造期间蚀刻铜的方法.pdf
本发明揭露在集成电路制造期间蚀刻铜的方法。在一个示例实施例中,一种制造集成电路的方法包括:提供集成电路结构,该集成电路结构包括铜凸块结构以及位于该铜凸块结构下方并邻近该铜凸块结构的铜晶种层;以及利用湿式蚀刻化学相对该铜凸块结构选择性蚀刻该晶种层,该湿式蚀刻化学由体积百分比为约0.07至约0.36的H
一种蚀刻废液铜回收及蚀刻液再生方法.pdf
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含铜蚀刻废液处理方法及系统.pdf
本发明涉及废水处理技术领域,提供了一种含铜蚀刻废液处理方法及系统。该方法包括:将酸性蚀刻废液和碱性蚀刻废液进行混合得到中和液;使中和液与氧气接触得到氧化液;对氧化液进行加压过滤;将第一滤饼打浆,将第一浆液进行加压过滤;将第二滤饼打浆,将所得第二浆液与浓硫酸反应;将含硫酸铜的反应液依次进行冷却结晶及固液分离,得到硫酸铜晶体和硫酸铜母液。本发明将含铜酸性蚀刻废液进行中和后,对中和液进行曝气,由于中和液中的亚铜离子和氯离子形成络合物,在曝气状态下,亚铜离子被快速氧化成铜离子,形成碱式氯化铜沉淀,随后碱式氯化铜沉
一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法.pdf
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铜箔用蚀刻液和使用其的印刷电路板的制造方法以及电解铜层用蚀刻液和使用其的铜柱的制造方法.pdf
本发明涉及:边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外,本发明涉及:边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明的蚀刻液的特征在于,含有:过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C),过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6~30的范围内,唑化合物(C)的浓度处于0.0