具有集成导体元件的电子装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106486456A(43)申请公布日2017.03.08(21)申请号201610151246.8H01L21/60(2006.01)(22)申请日2016.03.16(30)优先权数据15579992015.08.28FR(71)申请人意法半导体（格勒诺布尔2）公司地址法国格勒诺布尔申请人意法半导体(ALPS)有限公司(72)发明人D·奥彻雷L·马雷夏尔Y·因布斯L·施瓦茨(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华张宁(51)Int.Cl.H01L23/498(2006.01)H01L23/58(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称具有集成导体元件的电子装置及其制造方法(57)摘要一种电子装置包括具有安装面和电连接网络的支撑板。集成电路芯片安装在安装面上并连接至电连接网络。封装块使得集成电路芯片嵌入。由导电材料制成的额外元件至少部分地嵌入在封装块中。额外导电元件具有平行于支撑板延伸的主要部分，并且具有电连接至集成电路芯片的次要部分。开口形成在封装块中，并且次要部分延伸进入该开口中以形成电链路。额外导电元件可以是天线。CN106486456ACN106486456A权利要求书1/2页1.一种电子装置，包括：支撑板，具有安装面并且包括电连接网络；集成电路芯片，被安装在所述支撑板的所述安装面上并且被连接至所述电连接网络；封装块，嵌入有所述集成电路芯片，所述封装块在所述支撑板的所述安装面上的所述集成电路芯片周围并且在所述集成电路芯片之上延伸；以及额外导电元件，由导电材料制成并且至少部分地被嵌入在所述封装块中，所述额外导电元件具有平行于所述支撑板延伸的主要部分以及电连接至所述集成电路芯片的次要部分。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述额外导电元件的所述次要部分在距所述集成电路芯片的外围的一定距离处被连接至被形成在所述支撑板的所述安装面上的电接触。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述额外导电元件的所述次要部分被连接至被形成在所述至少一个集成电路芯片的正面上的电接触。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述额外导电元件的所述次要部分相对于所述主要部分朝向所述支撑板往回折叠。5.根据权利要求2所述的装置，其中，焊接材料被插入在所述额外导电元件的所述次要部分与所述支撑板的所述电接触之间。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述封装块包括空腔，所述空腔至少部分地暴露所述额外导电元件的所述主要部分。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述额外导电元件的所述主要部分在所述集成电路芯片之上并且在距其一定距离处延伸。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述额外导电元件是射频天线。9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述封装块包括两个重叠的部分，所述额外导电元件在所述两个重叠的部分之间延伸。10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述封装块包括沟槽，并且所述额外导电元件的所述主要部分在所述沟槽内延伸。11.一种用于制造电子装置的方法，包括：制造穿过主要电子装置的主要封装块延伸的孔，所述主要电子装置包括支撑板、安装在所述支撑板的安装面上的集成电路芯片、以及在所述支撑板的所述安装面上的所述集成电路芯片周围并且在所述集成电路芯片之上延伸的所述主要封装块，所述封装块具有平行于所述支撑板的正面，所述孔至少部分地暴露电接触；以及在如下位置中安装额外导电元件，该位置使得所述额外导电元件的主要部分在所述主要封装块的正面之上延伸，以及所述额外导电元件的次要部分延伸进入所述孔中并且被连接至所述电接触。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述电接触是在所述支撑板的所述安装面上的电接触。13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述电接触是在所述集成电路芯片的面上的电接触。14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述主要封装块上制造额外封装块，所述主要封装块和所述额外封装块构成其中至2CN106486456A权利要求书2/2页少部分地嵌入有所述额外导电元件的最终封装块。15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述次要部分相对于所述主要部分往回折叠。16.根据权利要求11所述的方法，进一步包括，将所述次要部分焊接至所述电接触。17.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述主要封装块的所述正面中制造沟槽；以及在所述沟槽中安装所述额外导电元件的至少所述主要部分。18.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述主要封装块的所述正面上至少部分地键合所述额外导电元件。19.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述额外封装块中制造至少部分地暴露所述额外导电元件的所述主要部分的空隙。20.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在安装所