半导体元件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102084483A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102084483A(43)申请公布日2011.06.01(21)申请号200980100324.X(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任(22)申请日2009.07.03公司11021代理人汪惠民(30)优先权数据2008-1788102008.07.09JP(51)Int.Cl.2008-3236822008.12.19JPH01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日H01L29/12(2006.01)2010.03.09(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2009/0031112009.07.03(87)PCT申请的公布数据WO2010/004715JA2010.01.14(71)申请人松下电器产业株式会社地址日本大阪府(72)发明人内田正雄林将志桥本浩一权利要求书2页说明书29页附图33页按照条约第19条的修改2页(54)发明名称半导体元件及其制造方法(57)摘要半导体元件具备：在基板上形成的包含碳化硅的半导体层(10)；形成在半导体层(10)表面上的第1导电类型半导体区域(15)；在半导体层表面(10s)上包围第1导电类型半导体区域(15)的第2导电类型半导体区域(14)；以及具有与第1导电类型半导体区域(15)和第2导电类型半导体区域(14)接触的导电面(19s)的导电体(19)，在半导体层表面(10s)上，第1导电类型半导体区域(15)具有沿着第1轴(i)延伸的至少一个第1带状部分(60、61)，第1导电类型半导体区域(15)的沿着第1轴(i)的宽度(C1)大于导电面(19s)的沿着第1轴(i)的宽度(A1)，导电面(19s)的轮廓横切至少一个第1带状部分(60、61)。CN102843ACCNN110208448302084492A权利要求书1/2页1.一种半导体元件，具备：基板；半导体层，其形成在上述基板上；第1导电类型半导体区域，其形成在上述半导体层的表面；第2导电类型半导体区域，在上述半导体层的上述表面上，其包围上述第1导电类型半导体区域；以及导电体，其具有与上述第1导电类型半导体区域和第2导电类型半导体区域接触的导电面，该半导体元件的特征在于，上述半导体层包含碳化硅，在上述半导体层的上述表面上，上述第1导电类型半导体区域具有沿着第1轴延伸的至少一个第1带状部分，上述第1导电类型半导体区域的沿着上述第1轴的宽度大于上述导电面的沿着上述第1轴的宽度，上述导电面的轮廓横切上述至少一个第1带状部分。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，在上述半导体层的上述表面上，上述第1导电类型半导体区域还包含沿着与上述第1轴非平行的第2轴延伸的至少一个第2带状部分，上述第1导电类型半导体区域的沿着上述第2轴的宽度大于上述导电面的沿着上述第2轴的宽度，上述导电面的轮廓横切上述至少一个第2带状部分。3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中，在上述半导体层的上述表面上，上述第1导电类型半导体区域具有：沿着上述第1轴向相互相反方向延伸的一对第1带状部分；和沿着上述第2轴向相互相反方向延伸的一对第2带状部分。4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，上述导电面具有多边形的形状，该多边形具有与上述第1轴平行的边以及与上述第2轴平行的边。5.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，上述导电面具有多边形的形状，该多边形具有与上述第1轴平行的对角线以及与上述第2轴平行的对角线。6.根据权利要求3～5中任意一项所述的半导体元件，其中，在上述半导体层的上述表面上，上述第2导电类型半导体区域具有多边形的形状，上述第1轴以及上述第2轴分别与连结上述第2导电类型半导体区域的多边形的重心和顶点的线中的至少一条平行。7.根据权利要求3～6中任意一项所述的半导体元件，其中，上述多边形是四边形。8.根据权利要求2～7中任意一项所述的半导体元件，其中，在上述半导体层的上述表面上，上述第1导电类型半导体区域还具有与上述第1带状2CCNN110208448302084492A权利要求书2/2页部分以及上述第2带状部分连接的主部。9.根据权利要求1～8中任意一项所述的半导体元件，其中，在上述半导体层的上述表面上，上述第1导电类型半导体区域具有点对称形状。10.根据权利要求1～9中任意一项所述的半导体元件，其中，上述第1带状部分的与上述第1轴垂直方向的宽度沿着上述第1轴大致相同。11.根据权利要求1～10中任意一项所述的半导体元件，其中，上述第1带状部分的沿着上述第1轴的长度是1μm以上。12.根据权利要求1～11中任意一项所述的半导体元件，其中，上述基板是裁切基板，上述第1轴与上述基板的裁切