清洁膜的真空镀膜方法及镀膜器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106521417A(43)申请公布日2017.03.22(21)申请号201611201051.6(22)申请日2016.12.22(71)申请人北京科勒有限公司地址101599北京市密云县果园西路27号申请人南昌科勒有限公司(72)发明人林志龙曾妩程朝阳张俊惠(74)专利代理机构北京邦信阳专利商标代理有限公司11012代理人金玺(51)Int.Cl.C23C14/10(2006.01)C23C14/32(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称清洁膜的真空镀膜方法及镀膜器件(57)摘要本发明公开了一种清洁膜的真空镀膜方法及镀膜器件，所述镀膜方法包括：(1)对待镀件进行镀前预处理；(2)将所述待镀件安装到真空镀膜机上，抽真空，向所述待镀件提供保护气体，采用气体离子源装置产生气体等离子体，所述等离子体对所述待镀件进行蚀刻；(3)向旋转硅靶提供所述保护气体和反应气体，启动离子轰击电源，以便在所述待镀件上镀二氧化硅膜；(4)抽真空，向所述待镀件提供全氟聚合物，以便在所述待镀件上镀疏水疏油复合膜。本发明提供一种清洁膜的真空镀膜方法，镀膜工艺更加节能环保，清洁膜使得卫浴产品易于清洁，硬度高且耐磨耐腐蚀，使用寿命长，而且高透明性还能够增加卫浴产品的光泽度。CN106521417ACN106521417A权利要求书1/1页1.一种清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，包括：(1)对待镀件进行镀前预处理；(2)将所述待镀件安装到真空镀膜机上，抽真空，向所述待镀件提供保护气体，采用气体离子源装置产生气体等离子体，所述等离子体对所述待镀件进行蚀刻；(3)向旋转硅靶提供所述保护气体和反应气体，启动离子轰击电源，以便在所述待镀件上镀二氧化硅膜；(4)抽真空，向所述待镀件提供全氟聚合物，以便在所述待镀件上镀疏水疏油复合膜。2.根据权利要求1所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(1)还包括：清扫所述待镀件进行除尘处理；将所述待镀件加热进行除蜡处理；对所述待镀件放入除油液中进行除油处理，然后清洗。3.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括：所述真空镀膜机提供的真空度为1.5×10-5～5.0×10-5Torr。4.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括：所述气体离子源装置的电压为750～800V，供气时间为8～12mim。5.根据权利要求4所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括：所述保护气体为氩气，所述氩气的流量为500～1000sccm。6.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括：所述离子轰击电源为中频磁控溅射装置，采用所述中频磁控溅射装置对所述待镀件以中频磁控溅射方式镀所述二氧化硅膜。7.根据权利要求6所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括：所述中频磁控溅射装置的电源功率为4～6kW，提供的负偏压为100～150V，所述保护气体为氩气，所述反应气体为氧气，所述氩气的流量为200～300sccm，所述氧气的流量为200～300sccm，镀膜时间为3～5min。8.根据权利要求7所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括：所述旋转硅靶的纯度为大于99.99％。9.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(3)还包括：所述二氧化硅膜的厚度为10～16nm。10.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：所述真空镀膜机提供的真空度为1.5×10-5～5.0×10-5Torr。11.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：所述真空镀膜机提供的蒸发电压为1.8～3.2V，蒸发电流为640～950A，蒸发时间为4～5min。12.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：所述疏水疏油复合膜的厚度为13～26nm。13.根据权利要求1或2所述的清洁膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：所述疏水疏油复合膜由改性的全氟聚醚制作而成。14.一种镀膜器件，其特征在于，所述镀膜器件包括通过如权利要求1～13任一项所述的清洁膜的真空镀膜方法制作的所述清洁膜。2CN106521417A说明书1/5页清洁膜的真空镀膜方法及镀膜器件技术领域[0001]本发明涉及卫浴产品镀膜技术领域，更具体地，涉及一种清洁膜的真空镀膜方法及镀膜器件。背景技术[0002]卫浴产品使用后需要及时清理，否则污渍会滞留在产品表面。以盥洗盆为例，表面具有增加表面光亮度的金