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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111726977A(43)申请公布日2020.09.29(21)申请号202010550652.8C08K3/22(2006.01)(22)申请日2020.06.16C08K3/28(2006.01)C08K3/34(2006.01)(71)申请人东莞市弗勒特电子科技有限公司C08K3/38(2006.01)地址523000广东省东莞市黄江镇刁朗村C08J5/18(2006.01)洪圣路51号四楼(72)发明人胡耀池陈继良胡孟谢琦林(74)专利代理机构汕头市南粤专利商标事务所(特殊普通合伙)44301代理人余建国(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)C08L83/07(2006.01)C08L83/05(2006.01)C08K13/04(2006.01)C08K7/18(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图1页(54)发明名称全方位高导热的电磁屏蔽材料及其制备方法(57)摘要全方位高导热的电磁屏蔽材料,具有片状结构,片状结构包括电磁屏蔽层,电磁屏蔽层的正反两面皆设有导热储热层,导热储热层系通过压延结合在电磁屏蔽层表面的硅胶基料,硅胶基料中含有均匀分散的导热粉体和/或储热粉体。为了获得上述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,本发明还提供一种全方位高导热的电磁屏蔽材料的制备方法,采用如下步骤:S1、制备硅胶基料;S2、成型导热储热层;S3、烘烤坯料。与现有技术相比,本发明所提供的全方位高导热的电磁屏蔽材料,在X、Y、Z轴向具有可调制的全方位导热性能,以及可调制的储热性能,而且还具有良好的操作性和电磁屏蔽功能,可广泛应用在电子产品上。CN111726977ACN111726977A权利要求书1/2页1.全方位高导热的电磁屏蔽材料,具有片状结构,其特征在于,片状结构包括电磁屏蔽层,电磁屏蔽层的正反两面皆设有导热储热层,导热储热层系通过压延结合在电磁屏蔽层表面的硅胶基料,硅胶基料中含有均匀分散的导热粉体和/或储热粉体。2.如权利要求1所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,其特征在于,所述片状结构水平放置时,Z方向导热系数为0-15W/m•K,X方向、Y方向导热系数为2-50W/m•K,拉伸强度为6.5-18MPa,储热值为0-180J/g,磁导率为35000-120000Gs。3.如权利要求1所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,其特征在于,所述硅胶基料采用质量百分比总和为100%的组份混合而成:乙烯基硅油4-30%,其粘度为100-10000cps;含氢硅油0.1-2.0%,其含氢量为0.1-0.5m/m%;反应抑制剂0.02-1%,系1-乙炔基-1-环己醇含量为10-99.8m/m%的溶液;铂金催化剂0.1-1%,系铂金含量为1000-5000ppm的溶液;色母0-0.5%;导热粉体0-94%,系氢氧化铝、α球形氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硼中的一种或多种粉体,在0.3μm-120μm范围内取多种粒径的粉体复配填充而成;储热粉体0-68%,系相变微胶囊、有机相变物-多微孔基质复合材料、聚乙二醇接枝高聚物、聚乙二醇-聚氨酯嵌段共聚物的一种或多种粉体,其粒径为10μm-120μm,其相变储热区间为35~80℃,储热值在100-300J/g。4.如权利要求1所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,其特征在于,所述电磁屏蔽层为包括但不限于铜网、铝网、不锈钢网的金属网,其网孔的直径为0.04-0.15mm,其厚度为0.03-0.3mm。5.如权利要求1所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,其特征在于,所述电磁屏蔽层为包括但不限于铜片、铝片、不锈钢片的金属片,其厚度为0.03-0.3mm。6.全方位高导热的电磁屏蔽材料的制备方法,其特征在于,采用如下步骤:S1、制备硅胶基料取质量百分比总和为100%的下列组份——乙烯基硅油4-30%,其粘度为100-10000cps;含氢硅油0.1-2.0%,其含氢量为0.1-0.5m/m%;反应抑制剂0.02-1%,系1-乙炔基-1-环己醇含量为10-99.8m/m%的溶液;铂金催化剂0.1-1%,系铂金含量为1000-5000ppm的溶液;色母0-0.5%;导热粉体0-94%,系氢氧化铝、α球形氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硼中的一种或多种粉体,在0.3μm-120μm范围内取多种粒径的粉体复配填充而成;储热粉体0-68%,其储热值为100-300J/g;上述组份搅拌均匀,获得硅胶基料;S2、成型导热储热层提供一平铺的下层离型膜,在下层离型膜上涂覆一层硅胶基料,再将一电磁屏蔽层叠放在硅胶基料上,然后经压延机将下层离型膜上的硅胶基料压延结合在电磁屏蔽层的反面,以在电磁屏蔽层的反面获得导热储热层;2CN111726977A权利要求