一种带有黑色多层膜的镀膜器件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112144063A(43)申请公布日2020.12.29(21)申请号202011179808.2C23C16/26(2006.01)(22)申请日2020.10.29(71)申请人南昌科勒有限公司地址330096江西省南昌市高新开发区京东大道678号申请人常州科勒水龙头有限公司(72)发明人戴文勤熊文涛程朝阳(74)专利代理机构北京邦信阳专利商标代理有限公司11012代理人郑世奇(51)Int.Cl.C23C28/04(2006.01)C23C14/32(2006.01)C23C14/02(2006.01)C23C14/06(2006.01)权利要求书2页说明书17页附图1页(54)发明名称一种带有黑色多层膜的镀膜器件及其制备方法(57)摘要本发明提供一种带有黑色多层膜的镀膜器件及其制备方法，该镀膜器件表面形成的黑色多层膜，不仅具有L值低、金属质感良好、高硬度等特点，而且还具有优异的耐磨性和耐腐蚀性能。本发明提供的制备方法包括如下步骤：1)将待镀所述黑色多层膜的基体进行等离子体蚀刻；2)在基体的表面镀氮化铬膜；3)在步骤2)所形成的所述氮化铬膜的表面镀第一复合膜，第一复合膜为碳氮化铬、碳化铬、氮化铬和掺杂含氢非晶碳的混镀层，所述掺杂含氢非晶碳中的掺杂元素包括氮和铬；4)在步骤3)所形成的所述第一复合膜的表面镀第二复合膜，所述第二复合膜为碳化铬和掺杂铬的含氢非晶碳的混镀层；5)在步骤4)所形成的所述第二复合膜的表面镀含氢非晶碳膜。CN112144063ACN112144063A权利要求书1/2页1.一种带有黑色多层膜的镀膜器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将待镀所述黑色多层膜的基体进行等离子体蚀刻；2)在经步骤1)处理的基体的表面镀氮化铬膜；优选所述氮化铬膜的厚度为50-90nm；3)在步骤2)所形成的所述氮化铬膜的表面镀第一复合膜，第一复合膜为碳氮化铬、碳化铬、氮化铬和掺杂含氢非晶碳的混镀层，所述掺杂含氢非晶碳中的掺杂元素包括氮和铬；优选所述第一复合膜的厚度为40-80nm；4)在步骤3)所形成的所述第一复合膜的表面镀第二复合膜，所述第二复合膜为碳化铬和掺杂铬的含氢非晶碳的混镀层；优选所述第二复合膜的厚度为210-270nm；5)在步骤4)所形成的所述第二复合膜的表面镀含氢非晶碳膜，优选所述含氢非晶碳膜的厚度为40-80nm；优选的，所述黑色多层膜的总厚度为340-520nm。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用多弧离子镀膜技术和等离子体增强化学气相沉积技术相结合来形成所述第一复合膜，优选的，工艺条件包括：多弧电流为40-60A，负偏压为60-100V，占空比为50％-70％，氩气流量为100-200sccm，氮气流量为150-250sccm，乙炔流量为120-240sccm，离子源功率为300-500W，炉温45-155℃，镀膜时间为4-8min；靶材为圆弧铬靶，优选靶材为纯度＞99.95％的圆弧铬靶；和/或，步骤2)中，采用多弧离子镀膜技术镀所述氮化铬膜，优选的，工艺条件包括：多弧电流为40-60A，负偏压为60-400V，占空比为70％-90％，氩气流量为100-200sccm，氮气流量为150-250sccm，炉温45-155℃，镀膜时间4-8min，靶材为圆弧铬靶，优选为纯度＞99.95％的圆弧铬靶。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中，采用多弧离子镀膜技术和等离子体增强化学气相沉积技术相结合来形成所述第二复合膜，优选的，工艺条件包括：多弧电流为35-55A，负偏压为40-90V，占空比为10％-50％，氩气流量为100-200sccm，乙炔流量为270-380sccm，离子源功率为300-500W，炉温45-155℃，镀膜时间为15-25min，靶材为圆弧铬靶，优选为纯度＞99.95％的圆弧铬靶。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，进行所述等离子体蚀刻的工艺条件包括：真空度为1.5-5.0×10-5Torr，通入50-200sccm氩气，离子源功率为300-400W，炉温45-155℃，处理时间为8-15min；和/或，步骤5)中，采用等离子体增强化学气相沉积技术形成所述的含氢非晶碳膜，优选的，工艺条件包括：负偏压为1000-1400V，占空比为10％-30％，乙炔流量为100-140sccm，离子源功率为300-500W，炉温45-155℃，镀膜时间为15-25min。5.根据权利要求1-4任一项所述的带有黑色多层膜的镀膜器件的制备方法，其特征在于，所述基体与所述氮化铬膜接触的表面为塑料或金属材质，优选为电镀了铬的塑料或金属材质；所述镀膜器件优