卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105908149A(43)申请公布日2016.08.31(21)申请号201610506736.5(22)申请日2016.06.30(71)申请人青岛赛瑞达电子科技有限公司地址266000山东省青岛市高新区华东路826号(72)发明人张海林滕玉鹏(74)专利代理机构青岛联信知识产权代理事务所37227代理人潘晋祥王中云(51)Int.Cl.C23C16/26(2006.01)C23C16/54(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备(57)摘要一种卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，包括置料真空腔室、加热真空腔室、和加热装置，所述置料真空腔室设置有两个，所述加热真空腔室位于加热装置内，两端伸出并与对应的置料真空腔室设置的连通口相连通，所述置料真空腔室内安装有置料辊和输送辅助装置，所述输送辅助装置位于对应置料辊内侧，并与连通口对齐，所述输送辅助装置为上下相对设置并且相互啮合的两个压辊。卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备将位于一端的置料真空腔室的铜箔通过加热真空腔室输送到另一端的置料真空腔室中，期间通过加热和反应气体，在铜箔上生长石墨烯薄膜，无须射频等离子体发生器，节能安全。输送辅助装置从两端将铜箔固定，使其不会受到对应置料辊上铜箔粗细的影响，使加热真空腔室内的铜箔始终保持水平，保证其与反应气体充分接触，提高石墨烯生产质量。CN105908149ACN105908149A权利要求书1/1页1.一种卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，包括置料真空腔室(1)、加热真空腔室(2)、和加热装置(3)，所述置料真空腔室(1)设置有两个，所述加热真空腔室(2)位于加热装置(3)内，两端伸出并与对应的置料真空腔室(1)设置的连通口(2-1)相连通，所述置料真空腔室(1)内安装有置料辊(1-1)和输送辅助装置(1-2)，所述输送辅助装置(1-2)位于对应置料辊(1-1)内侧，并与连通口(2-1)对齐，所述输送辅助装置(1-2)为上下相对设置并且相互啮合的两个压辊，一个置料真空腔室(1)连接有抽真空装置(4)。2.根据权利要求1所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，所述置料真空腔室(1)中的置料辊(1-1)和输送辅助装置(1-2)之间安装有辅助支撑板(1-3)，所述辅助支撑板(1-3)倾斜设置。3.根据权利要求1所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，所述置料真空腔室(1)内侧壁上安装有隔热装置(1-4)，所述隔热装置(1-4)与连通口(2-1)对齐。4.根据权利要求3所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，所述隔热装置(1-4)为片状且间隔设置的多个隔热反射屏，所述隔热反射屏设置有通过口(1-5)，所述通过口(1-5)与连通口(2-1)对齐。5.根据权利要求1所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，所述置料真空腔室(1)的连通口(2-1)上设置有环形弥散腔(2-2)，所述环形弥散腔(2-2)位于置料真空腔室(1)的壳体中，并与其同轴，所述环形弥散腔(2-2)的内壁周向设置有多个通气孔(2-3)，外壁设置有流通口(2-4)。6.根据权利要求1所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，所述加热真空腔室(2)内安装有支撑导轨(2-5)，所述支撑导轨(2-5)两端分别于对应置料真空腔室(1)的连通口(2-1)平齐。7.根据权利要求6所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，所述支撑导轨(2-5)放置在加热真空腔室(2)内壁设置的支承座(2-6)上，所述支撑导轨(2-5)两侧的边缘与对应加热真空腔室(2)的内壁之间设有流通间隙(2-7)，所述支承座(2-6)设有流通通道(2-8)，所述流通通道(2-8)一端与对应的流通间隙(2-7)相连，另一端位于支撑导轨(2-5)下方。8.根据权利要求6所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，所述支撑导轨(2-5)两侧相对设置有限位槽(2-9)，位于支撑导轨(2-5)端部的限位槽(2-9)高度由外向内逐渐增大。9.根据权利要求1所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，所述抽真空装置(4)包括依次相连的冷凝器(4-1)、阀门(4-2)和真空泵(4-3)，所述冷凝器(4-1)与对应置料真空腔室(1)相连。10.根据权利要求1所述的卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，其特征在于，置料辊(1-1)外壁设置有固定槽(1-6)，所述固定槽(1-6)内安装有固定压块(1-7)，所述固定压块(1-7)一侧与置料辊(1-1)铰接，另一侧中安装有铁块(1-8)，所述固定槽(1-6)槽底安装有吸引铁块(1-8)的磁铁(1-9)。2CN105908149A说明书1